集積電子デバイス
(情報科学院情報エレクトロニクスコース 集積電子デバイス研究室)
半導体結晶成長技術をもとに材料・機能デザインを探求することで新しいナノ材料・デバイス・システムを生み出す研究をしています。地球規模の消費エネルギーの削減と技術革新の継続的な加速を両立した未来社会を創り、それを支える人材を育成することを目指しています。
研究概要|研究業績
*研究室紹介ポスター.pdf (2017.10.19更新)
新着情報 (研究室のお知らせ・ニュースはこちら)
■NEWS (2025/02/18更新)
2025
2/6【お知らせ】 修士論文発表会開催 論文題目一覧
2/3【お知らせ】 卒業論文発表会開催 論文題目一覧
2024
11/1 【お知らせ】 冨岡准教授が教授に昇任されました。
4/2 【お知らせ】 新4年生(4名)が加わりました
教員/研究スタッフ

教授 本久 順一
(ナノワイヤ成長・物性・デバイス応用)
motohisa [at] ist.hokudai.ac.jp
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センター長あいさつ

教授 冨岡 克広
(結晶成長・デバイス)
tomioka[at] rciqe.hokudai.ac.jp
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研究院紹介記事
工学部紹介記事
大学院

博士1年 東 佑樹
(ナノワイヤ未踏波長光源)
学振DC2内定・北大EXEX博士フェロー
azuma[at] rciqe.hokudai.ac.jp

博士1年 テイ シヨウ
(構造相転移ナノワイヤLED)
北大EXEX博士フェロー
zheng[at] rciqe.hokudai.ac.jp

博士1年 古内 久大
(GaNナノワイヤ)
furuuchi[at] rciqe.hokudai.ac.jp

修士2年 杉田 和陽
(ナノワイヤレーザー光源)

修士2年 竹田 有輝
(Si/III-V縦型トランジスタ集積)

修士2年 森元 祥平
(GaNナノワイヤ選択成長/FET)

修士1年 内田 凌聖
(InP構造相転移トランジスタ)

修士1年 関口 雅也
(GaNナノワイヤ選択成長/FET)

修士1年 谷山 慶太
(Si/III-V縦型トランジスタ集積)
学部生

八宮 道馬
(III-Vナノワイヤ 微細化技術)

彦坂 康生
(GaNナノワイヤ選択成長)

藤本 開
(III-VナノワイヤHEMT)
