集積電子デバイス
(情報科学院情報エレクトロニクスコース 集積電子デバイス研究室)
半導体結晶成長技術をもとに材料・機能デザインを探求することで新しいナノ材料・デバイス・システムを生み出す研究をしています。地球規模の消費エネルギーの削減と技術革新の継続的な加速を両立した未来社会を創り、それを支える人材を育成することを目指しています。
研究概要｜研究業績
*研究室紹介ポスター.pdf (2025.9.19更新)
新着情報 (研究室のお知らせ・ニュースはこちら)
■NEWS （2025/09/19更新）
2025
- 8/18 【お知らせ】研究補助員の金澤さんが着任しました
- 5/19 【お知らせ】JST-ASPIREプロジェクトの紹介動画が公開されました
- 4/1 【お知らせ】新4年生（4名）が加わりました
- 2/6 【お知らせ】 修士論文発表会開催 論文題目一覧
- 2/3 【お知らせ】 卒業論文発表会開催 論文題目一覧
2024
- 11/1 【お知らせ】 冨岡准教授が教授に昇任されました
- 4/2 【お知らせ】 新４年生（４名）が加わりました
教員／研究スタッフ
教授 本久 順一
(ナノワイヤ成長・物性・デバイス応用)
motohisa [at] ist.hokudai.ac.jp
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センター長あいさつ
教授 冨岡 克広
(結晶成長・デバイス)
tomioka[at] rciqe.hokudai.ac.jp
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研究院紹介記事
研究補助員 金澤 昌俊
大学院
博士２年 東 佑樹
(ナノワイヤ未踏波長光源)
学振特別研究員：DC2
azuma[at] rciqe.hokudai.ac.jp
博士２年 テイ シヨウ
(構造相転移ナノワイヤLED)
北大EXEX博士フェロー
zheng[at] rciqe.hokudai.ac.jp
博士1年 古内 久大
(GaNナノワイヤ)
furuuchi[at] rciqe.hokudai.ac.jp
修士2年 杉田 和陽
(ナノワイヤレーザー光源)
修士2年 内田 凌聖
(InP構造相転移トランジスタ)
修士2年 関口 雅也
(GaNナノワイヤ選択成長/FET)
修士2年 谷山 慶太
(Si/III-V縦型トランジスタ集積)
修士1年 髙橋 飛翔
(ナノワイヤ発光素子)
修士1年 竹村 康太郎
(ナノワイヤ受光素子)
修士1年 八宮 道馬
(III-Vナノワイヤ 微細化技術)
修士1年 彦坂 康生
(GaNナノワイヤ選択成長)
修士1年 藤本 開
(縦型III-VナノワイヤHEMT)
学部生
堀口 燿
(構造相転移ナノワイヤ)
中村 瑠太
(ナノワイヤ微細化・トランジスタ)
渡辺 雄大
(ナノワイヤ発光素子)
