特許登録

1. 日本国特許出願2018-086053「構造体の製造方法および中間構造体」発明者：堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周.

2. ヨーロッパ特許登録2797226「信号再生装置及び信号再生方法」発明者：葛西誠也, 田所幸浩, 一木輝久(2019.11.27 登録).

3. 米国特許登録US Patent 10,403,498 ” Group III-V compound semiconductor nanowire, field effect transistor, and switching element “　発明者：冨岡克広、福井孝志(2019.9.3 登録).

4. 米国特許登録US Patent 10,381,489″ Tunnel field effect transistor “　発明者：冨岡克広、福井孝志(2019.9.3 登録).

5. 日本国特許登録6600918「トンネル電界効果トランジスタ」発明者：冨岡克広、福井孝志(2019.10.18 登録).