国内学会における講演発表：４5件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1681) 岡本翔真, 黒田亮太, 葛西誠也:「GaAs ナノワイヤFET を用いたポルフィリン系分子電荷状態検出の検討」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

2.(1682) 劉柏麟, 葛西誠也, 殷翔, 山田豊和, 小川琢治, 福森稔, 田中啓文: 「SWNT とDWNT アンジップ単層グラフェンナノリボンのクロス構造の作製と電気特性」第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

3.(1683) 崎田晋哉，原真二郎：「Al2O3 絶縁膜上の横型MnAs ナノワイヤの作製と評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

4.(1684) 小平竜太郎，椛本恭平，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤの作製と評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

5.(1685) 亀田滉貴，柳瀬祥吾，冨岡克広，原真二郎，本久順一：「PL 測定によるInP ナノワイヤの結晶構造転移の観測」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

6.(1686) 冨岡克広，石坂文哉，福井孝志：「InGaAs-InP コアシェルナノワイヤ/Si トンネルFET のスイッチ特性改善」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

7.(1687) 平谷佳大，石坂文哉，冨岡克広，福井孝志：「結晶構造転写によるAlInP のウルツ鉱構造への結晶相転移」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

8.(1688) 石坂文哉, 平谷佳大, 冨岡克広, 福井孝志：「ウルツ鉱構造InP/AlInP コアシェルナノワイヤの作製と評価(招待講演)」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

9.(1689) 枝元将彰, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「裏面光照射電気化学法によるGaN 陽極酸化表面の分析」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

10.(1690) 熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友：「Cu2O/GaN ヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

11.(1691) 喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「光触媒水分解システムを用いたn-GaN多孔質構造の光電気化学的評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

12.(1692) 近江沙也夏, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ構造の形成と特性評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

13.(1693) 清野惇，赤澤正道：「プラズマCVD により形成されたSiO2/InAlN 界面の評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).

14.(1694) 佐々木健太郎, 黒田亮太, 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「微小電荷空間分布検出半導体デバイスの基礎的検討」2015 年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 仙台(2015)．

15.(1695) 冨岡克広, 本久順一, 福井孝志：「半導体ナノワイヤ異種集積技術とデバイス応用(招待講演)」2015 年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 仙台(2015).

16.(1696) 福井孝志, 石坂文哉, 平谷佳大, 冨岡克広：「結晶構造転写によるGaP 系混晶の直接遷移型ウルツ鉱への相転移(招待講演）」第45 回結晶成長国内会議, 札幌(2015).

17.(1697) 冨岡克広, 本久順一, 福井孝志：「【展望講演】化合物半導体ナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長と展望(招待講演）」第47 回秋季化学工学会, 札幌(2015).

18.(1698) 位田祐基, 葛西誠也:「マン－マシンインターフェースにむけたロバストな確率共鳴筋電信号検出技術の開発」STARC フォーラム, 新横浜(2015)．

19.(1699) 佐々木健太郎, 黒田亮太, 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「多重ゲートナノワイヤFETを用いた微小電荷空間分解検出デバイスの基礎的検討」第５１回応用物理学会北海道支部/第１２回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2016)．

20.(1700) 阿部晃貴, 佐々木健太郎, 葛西誠也:「ナノ人工物メトリクスに向けた表面ナノ構造電気的読出しに関する基礎的検討」平成27 年度IEICE 北海道支部学生会インターネットシンポジウム, ネットワーク開催(2016).

21.(1701) 斉藤健太, 若宮寮, 葛西誠也:「粘菌アメーバ型最適化問題解探索電子システムの再構成・大規模化の検討」平成27 年度IEICE 北海道支部学生会インターネットシンポジウム, ネットワーク開催(2016).

22.(1702) 位田祐基, 白田健人, 葛西誠也:「ジェスチャー識別のための確率共鳴筋電信号検出システムの検討」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).

23.(1703) 川内偉博, 佐野栄一:「標準CMOS プロセスを用いたミリ波帯メタマテリアルアンテナ」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).

24.(1704) 脇田幸典, 池辺将之, 佐野栄一:「CMOS テラヘルツイメージングディテクタの設計」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).

25.(1705) 宮島卓也, 板津太郎, 杉目恒志, ステファヌス・アルノード, 尾辻泰一, 佐野栄一:「光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).

26.(1706) 近江沙也夏:「電気化学的手法によるCu2O/InP ヘテロ界面形成と光学特性評価」第2 回界面ナノ若手ポスター発表展, 横浜, (2016).

27.(1707) 喜田弘文:「MOD法によるGaN 表面へのNiO 粒子の形成と調査」第2 回界面ナノ若手ポスター発表展, 横浜, (2016).

28.(1708) 西口賢弥, 橋詰保:「高温アニールプロセスがGaN MOSFET 特性に与える影響」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

29.(1709) 佐藤将来, 殷翔, 黒田亮太, 葛西誠也:「金属探針を用いたGaAs ナノワイヤ表面局所電位変調による表面電子トラップの検出と評価」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

30.(1710) 黒田亮太, 佐藤将来, 葛西誠也:「高精度デジタルウェットエッチング技術によるGaAsナノ構造形成」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

31.(1711) 岡本翔真, 黒田亮太, 葛西誠也:「単一分子識別に向けた静電塗布法による分子表面分散の検討」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.

32.(1712) 藤井逸人, Setiadi Agung, 赤井恵, 葛西誠也, 金井康, 松本和彦, 桑原裕司:「単分子吸着によって発現するカーボンナノチューブ素子におけるランダムテレグラフシグナルノイズ」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.

33.(1713) 孫屹, 芦田浩平, 松田宗平, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 葛西誠也:「酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.

34.(1714) 劉柏麟, 葛西誠也, 殷翔, 山田豊和, 小川琢治, 福森稔, 田中啓文:「DWNT アンジップ単層グラフェンナノリボンのクロス構造の作製電気特性の角度依存性評価」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.

35.(1715) 福井孝志, 平谷佳大, 石坂文哉, 冨岡克広：「GaN(10-10) 上へのウルツ鉱構造AlInPの成長と緑色発光」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

36.(1716) 冨岡克広, 石坂文哉, 本久順一, 福井孝志：「変調ドープ構造InGaAs ナノワイヤ/SiトンネルFET の作製」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

37.(1717) 吉田旭伸, 冨岡克広, 石坂文哉, 千葉康平, 本久順一, 福井孝志：「Ge(111) 基板上InGaAs ナノワイヤ選択成長」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

38.(1718) 小平竜太郎，椛本恭平，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤの成長メカニズム(招待講演)」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

39.(1719) 椛本恭平，小平竜太郎，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ヘテロ接合ナノワイヤの磁区構造評価」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

40.(1720) 熊崎祐介，松本悟，佐藤威友：「異方性ウェットエッチングによるGaN 多孔質構造の作製と光学特性評価」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

41.(1721) 枝元将彰，熊崎祐介，佐藤威友：「光電気化学反応を利用したGaN 表面の陽極酸化」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

42.(1722) 喜田弘文，伊藤圭亮，熊崎祐介，佐藤威友：「金属有機化合物分解法によるGaN 表面へのNiO 粒子の形成」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

43.(1723) 近江沙也夏，熊崎祐介，佐藤威友：「電気化学堆積法によるCu2O/InP ヘテロ界面の形成」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

44.(1724) 張笑逸, 伊藤圭亮, 喜田弘文, 熊崎祐介, 佐藤威友: " Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response, " 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

45.(1725) 清野惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤正道：「プラズマCVD SiO2/InAlN 界面へのAl2O3 超薄膜層挿入の効果」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).