教育

先進ナノ電子材料

窒化ガリウム系およびガリウムヒソ系半導体をベースとして、ナノレベル制御による接合構造、ナノ結晶を高密度で周期的に配列させた構造等を形成する技術を確立し、半導体ナノ構造中の特性を理解・制御することにより、新しい光電子デバイス、先端環境デバイス、スピンデバイスの実現を目指しています。

新着情報

橋詰の定年退職にともない、橋詰研究室は2022年3月末日をもって閉じることになります。2004年から18年間、研究室の学生・研究員の皆さんとGaNデバイスを中心に研究を行ってきました。学士卒業10名、修士修了27名、博士修了17名です。学生の皆さんは、応物発表、国際会議発表、そして論文執筆と、とても忙しい時間を過ごされたのではと思っています。予定通りに進まない実験に、心が折れそうになったことも多かったのではないかと察しますが、私も一緒に考え、そして悩み、なんとか発表や論文にまとめてきたと思っています。卒業生の皆様には深い感謝でいっぱいです。また、研究員で在籍した皆様と共同研究等でお世話になった関係者の方々に、心より感謝いたします。

長い間、本当にありがとうございました。

橋詰

HPの更新が遅れ、OBや関連の皆様にはご迷惑をおかけしました。 まず、2019年4月より、センターの各研究室名が新しくなりました。本研究室名は「先進ナノ電子材料研究室」になりました。新研究室名に慣れていただければと思います。

2018年3月の卒業・修了生は次の通りです。博士課程:西口賢弥君、修士課程:問谷翔太君、金木 奨太君、堀口竜麻君。西口君は住友電気工業伝送デバイス研究所、問谷君は古河電工に就職しました。金木君と堀口君は博士課程に進学し、ともに元気に研究しています。

2019年3月の卒業・修了生は次の通りです。博士課程:小平竜太郎君、修士課程:安藤祐次君、及木達矢君、飯田勝也君、門脇哲郎君。小平君はタッチスポット株式会社、安藤君はトヨタ自動車、及木君は富士電機、飯田君は日立オムロンターミナルソリューションズ、門脇君は日立ハイテクノロジーズに就職しました。

また、富士通研究所より社会人特別選抜博士課程に在籍していた尾崎史朗さんも2019年3月に修了し、博士(工学)の学位記が授与されました。

研究員として4年半在籍したマチェックさんは2019年2月から名古屋大学未来材料システム研究所(加地研究室)に転出され、引き続きGaNデバイスの研究を精力的に行っています。

橋詰研の現況ですが、博士2年の金木君は、研究室のリーダーとしてフル活動しています。修士2年の佐々木君、1年の越智君と森下君も元気に研究を行なっています。橋詰はセンター長の任務を行いながら、なんとか研究を継続しています。また、2016年4月より名古屋大学未来材料・システム研究所の教授も兼務しており、年に数回(3泊4日程度)名大に滞在しています。最近の成果と受賞などに関しては以下のHPを覗いて見てください。

https://researchmap.jp/read0183628/

センターOBの皆様には、札幌に来る機会に、ぜひともセンターに立ち寄っていただきたいと思います。何名かの方は、リクルーターとして、また休暇の折に顔を出してくれています。元気なOBの顔を見るのが一番の喜びです。任期が3年を切りましたので、早い時期にセンターに寄ってくれれば望外の幸せです。

長い期間HPを更新せず、OBや関連の皆様にはご迷惑をおかけしました。過去3年間程度の動向をお知らせします。

卒業生・修了生

2015年(平27)3月 修士:千崎君(日立パワーデバイス)、加藤君(住友電工)、西口君(博士進学)学士:増田君

2016年(平28)3月 博士:崎田君(日立パワーデバイス)修士:大平君(北電)、小平君(博士進学)

2017年(平29)3月 修士:椛本君(沖ソフトウェア)

研究員として4年半在籍したJoelさんは2014年11月に福井大学に転出され、引き続きGaNデバイスの研究を精力的に行っています。

http://tenure.u-fukui.ac.jp/researcher_joel.html, http://researchmap.jp/joel_asubar/

同じく研究員・特任助教として4年間在籍した谷田部さんも201511月に熊本大学に転出されました。現在、ミストCVD法による薄膜形成と評価に関する研究を行っています。

http://www.nano.cs.kumamoto-u.ac.jp, http://researchmap.jp/zenji.yatabe/

橋詰研の現況ですが、博士3年の西口君は、研究室のリーダーとしてフル活動しており、つい最近JJAPに論文がオンラインされました(http://iopscience.iop.org/issue/1347-4065/56/10)。また、Spotlight論文に指定され、ダウンロード数も順調に伸びています。現在、学位論文の執筆を行っており、20183月に学位取得の予定で、修了後は住友電工伝送デバイス研究所に就職が内定しています。

また、20164月から社会人特別選抜博士課程に尾崎史朗さんが在籍しています。富士通研究所デバイス&マテリアル研究所の所属で、InAlN/GaNMOS-HMETの研究を行っており、研究成果の一部がAPEXに掲載されました。http://iopscience.iop.org/issue/1882-0786/10/6

修士2年の金木君と問谷君は順調に研究を続けており、9月初旬の応用物理学会(福岡)で論文発表を行いました。金木君は博士課程進学予定、問谷君は古河電工に就職が内定しています。修士1年の安藤君・及木君も意欲的に研究を行っており、やはり9月初旬の応用物理学会で無事デビューを飾りました。4年の卒論生として佐々木君が研究を開始したところです。

また、3年前よりマチェックさん(ポーランド)が研究員として在籍しており、11月より特任助教として務める予定です。論文をたくさん執筆しています。

橋詰はセンター長の任務を行いながら、GaN MOSデバイスの実用に向けて執念を燃やしています。長く化合物半導体デバイスに関わってきましたので、化合物半導体で初めてのMOSトランジスタを世に送り出したいと思っています。現在、文科省の新学術領域研究とNEDOの縦型GaNデバイスプロジェクトに参加しています。また、20164月より名古屋大学未来材料・システム研究所の教授も兼務しており(3年間の予定)、1年間に約1ヶ月程度名大に滞在しています。大学にもクロスアポイントメント制度が採用され、複数の所属が可能となっています。名大の先生方といくつかの共同研究を行っています。60歳を超えて体力の衰えは隠せませんが、GaN研究をさらに進めて行きます。

センターOBの皆様には、札幌に来る機会に、ぜひともセンターに立ち寄っていただきたいと思います。


受賞等

過去の記事一覧

卒業生・修了生一覧

教員/研究スタッフ

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教授
橋詰 保
北海道大学研究者総覧へ
JST-CRESTプロジェクト
研究領域:

「二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出」

採択課題:

「異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開」

プロジェクトへのリンク

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