研究内容・成果
量子結晶フォトニクス研究室 受賞等一覧
- ２０１１年３月 水江千帆子
平成２２年度北海道大学大塚賞
- ２０１１年１月 田島正文
論文発表奨励賞、電子情報通信学会電子デバイス研究会
論文名： デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価
- ２０１１年１月 水江千帆子
講演奨励賞、2011応用物理学会北海道支部学術講演会
論文名： C-V測定によるALD-Al2O3/AlGaN/GaNの界面準位評価
- ２０１０年１１月 堀祐臣
論文発表奨励賞、電子情報通信学会電子デバイス研究会
論文名： GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価
- ２０１０年６月 水江千帆子
論文発表奨励賞、電子情報通信学会電子デバイス研究会
論文名： AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈
- ２０１０年５月 小川恵理
発表奨励賞、2010日本成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
論文名：Mg-doped GaN (Mg:7x1017cm-3 - 2x1019cm-3)の深い準位の評価
- ２０１０年３月 大井幸多
平成２１年度電子情報通信学会北海道支部学生員奨励賞
- ２０１０年１月 大井幸多
論文発表奨励賞、電子情報通信学会電子デバイス研究会
論文名：周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT
- ２００９年５月 小川恵理
Student Paper Award, The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
論文名：Effects of high-temperature anneal on surface properties of Mg-doped GaN
- ２００９年３月 大井幸多
講演奨励賞、2009年春季応用物理学会
論文名：多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
- ２００９年３月 塩崎奈々子
平成２０年度北海道大学大塚賞
- ２００７年４月 木村 健
Best Paper Award, The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
論文名：Carbon diffusion into GaN using SiNx/CNx bilayer structure prepared by ECR-CVD
- ２００６年４月 Marcin Miczek
Best Paper Award, The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
論文名：Comparative capacitance-voltage characterization on Schottky and MIS AlGaN/GaN diodes at high temperatures
- ２００６年３月 小谷淳二
講演奨励賞、2006年春季応用物理学会
論文名：AlGaNショットキー界面におけるリー ク電流の考察とその抑制
- ２００６年１月 木村 健
講演奨励賞、第41回(2006年)応用物理学会北海道支部学術講演会
論文名：Pt/InPショットキー型水素センサーのセンシングメカニズム
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