橋詰教授研究室 2022年3月までの記事一覧｜北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターサイト

橋詰教授研究室 2022年3月までの記事一覧

橋詰保教授　先進ナノ電子材料研究室

教授

橋詰保

JST-CRESTプロジェクト(2010-2016)
研究領域：

「二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出」

採択課題：

「異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開」

プロジェクトへのリンク

外国人客員教授はこちら（PDF：123KB）

2022/3/10

橋詰の定年退職にともない、橋詰研究室は2022年3月末日をもって閉じることになります。2004年から18年間、研究室の学生・研究員の皆さんとGaNデバイスを中心に研究を行ってきました。学士卒業10名、修士修了27名、博士修了17名です。学生の皆さんは、応物発表、国際会議発表、そして論文執筆と、とても忙しい時間を過ごされたのではと思っています。予定通りに進まない実験に、心が折れそうになったことも多かったのではないかと察しますが、私も一緒に考え、そして悩み、なんとか発表や論文にまとめてきたと思っています。卒業生の皆様には深い感謝でいっぱいです。また、研究員で在籍した皆様と共同研究等でお世話になった関係者の方々に、心より感謝いたします。

長い間、本当にありがとうございました。

橋詰

2019/4/4

HPの更新が遅れ、OBや関連の皆様にはご迷惑をおかけしました。まず、2019年4月より、センターの各研究室名が新しくなりました。本研究室名は「先進ナノ電子材料研究室」になりました。新研究室名に慣れていただければと思います。

2018年3月の卒業・修了生は次の通りです。博士課程：西口賢弥君、修士課程：問谷翔太君、金木奨太君、堀口竜麻君。西口君は住友電気工業伝送デバイス研究所、問谷君は古河電工に就職しました。金木君と堀口君は博士課程に進学し、ともに元気に研究しています。

2019年3月の卒業・修了生は次の通りです。博士課程：小平竜太郎君、修士課程：安藤祐次君、及木達矢君、飯田勝也君、門脇哲郎君。小平君はタッチスポット株式会社、安藤君はトヨタ自動車、及木君は富士電機、飯田君は日立オムロンターミナルソリューションズ、門脇君は日立ハイテクノロジーズに就職しました。

また、富士通研究所より社会人特別選抜博士課程に在籍していた尾崎史朗さんも2019年3月に修了し、博士（工学）の学位記が授与されました。

研究員として4年半在籍したマチェックさんは2019年2月から名古屋大学未来材料システム研究所（加地研究室）に転出され、引き続きGaNデバイスの研究を精力的に行っています。

橋詰研の現況ですが、博士2年の金木君は、研究室のリーダーとしてフル活動しています。修士2年の佐々木君、1年の越智君と森下君も元気に研究を行なっています。橋詰はセンター長の任務を行いながら、なんとか研究を継続しています。また、2016年4月より名古屋大学未来材料・システム研究所の教授も兼務しており、年に数回（3泊4日程度）名大に滞在しています。最近の成果と受賞などに関しては以下のHPを覗いて見てください。

https://researchmap.jp/read0183628/

センターOBの皆様には、札幌に来る機会に、ぜひともセンターに立ち寄っていただきたいと思います。何名かの方は、リクルーターとして、また休暇の折に顔を出してくれています。元気なOBの顔を見るのが一番の喜びです。任期が3年を切りましたので、早い時期にセンターに寄ってくれれば望外の幸せです。

2017/9/21

長い期間HPを更新せず、OBや関連の皆様にはご迷惑をおかけしました。過去３年間程度の動向をお知らせします。

卒業生・修了生

２０１５年（平２７）３月　修士：千崎君（日立パワーデバイス）、加藤君（住友電工）、西口君（博士進学）学士：増田君

２０１６年（平２８）３月　博士：崎田君（日立パワーデバイス）修士：大平君（北電）、小平君（博士進学）

２０１７年（平２９）３月　修士：椛本君（沖ソフトウェア）

研究員として4年半在籍したJoelさんは2014年11月に福井大学に転出され、引き続きGaNデバイスの研究を精力的に行っています。

http://tenure.u-fukui.ac.jp/researcher_joel.html, http://researchmap.jp/joel_asubar/

同じく研究員・特任助教として4年間在籍した谷田部さんも2015年11月に熊本大学に転出されました。現在、ミストCVD法による薄膜形成と評価に関する研究を行っています。

http://www.nano.cs.kumamoto-u.ac.jp, http://researchmap.jp/zenji.yatabe/

橋詰研の現況ですが、博士３年の西口君は、研究室のリーダーとしてフル活動しており、つい最近JJAPに論文がオンラインされました（http://iopscience.iop.org/issue/1347-4065/56/10）。また、Spotlight論文に指定され、ダウンロード数も順調に伸びています。現在、学位論文の執筆を行っており、2018年3月に学位取得の予定で、修了後は住友電工伝送デバイス研究所に就職が内定しています。

また、2016年4月から社会人特別選抜博士課程に尾崎史朗さんが在籍しています。富士通研究所デバイス＆マテリアル研究所の所属で、InAlN/GaN系MOS-HMETの研究を行っており、研究成果の一部がAPEXに掲載されました。http://iopscience.iop.org/issue/1882-0786/10/6

修士２年の金木君と問谷君は順調に研究を続けており、9月初旬の応用物理学会（福岡）で論文発表を行いました。金木君は博士課程進学予定、問谷君は古河電工に就職が内定しています。修士１年の安藤君・及木君も意欲的に研究を行っており、やはり9月初旬の応用物理学会で無事デビューを飾りました。４年の卒論生として佐々木君が研究を開始したところです。

また、３年前よりマチェックさん（ポーランド）が研究員として在籍しており、11月より特任助教として務める予定です。論文をたくさん執筆しています。

橋詰はセンター長の任務を行いながら、GaN MOSデバイスの実用に向けて執念を燃やしています。長く化合物半導体デバイスに関わってきましたので、化合物半導体で初めてのMOSトランジスタを世に送り出したいと思っています。現在、文科省の新学術領域研究とNEDOの縦型GaNデバイスプロジェクトに参加しています。また、2016年4月より名古屋大学未来材料・システム研究所の教授も兼務しており（３年間の予定）、1年間に約１ヶ月程度名大に滞在しています。大学にもクロスアポイントメント制度が採用され、複数の所属が可能となっています。名大の先生方といくつかの共同研究を行っています。60歳を超えて体力の衰えは隠せませんが、GaN研究をさらに進めて行きます。

センターOBの皆様には、札幌に来る機会に、ぜひともセンターに立ち寄っていただきたいと思います。

2015 1/13
"11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics"「TWHM 2015」
2012 3/22
"Characterization and control of GaN-based MOS structures"
⇒Click Here to download
2012 3/22
"Current controllability and stability of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs"
⇒Click Here to download
結晶工学セミナースライド 2011 11/11
「アドミタンス測定によるMIS界面電子準位の評価 -窒化物半導体界面への適用と解釈-」
⇒ダウンロード
無機研究会スライド 2011 11/11
「窒化物半導体の特徴とデバイス展開」
⇒ダウンロード
「電気物性工学講座」および「集積電子デバイス工学分野」の卒業生・修了生の皆様へ
⇒お知らせ

受賞等

卒業生・修了生一覧

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（量子結晶フォトニクス研究室）

2015/1/13
"11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics"「TWHM 2015」
2014/4/1
堀君が博士課程を修了し、古河電工横浜研究所に就職しました。馬君、中野君、藤曲君が修士課程を修了し、馬君はデンソー、中野君は東北電力、藤曲君は明電舎に就職しました。また、小平君、大平君の２名が修士課程に進学し、石郷岡君は味の素北海道に就職しました。新たに、環君、椛本君、増田君が卒論生として研究室に加わりました。博士の崎田君、修士２年の西口君、千崎君、加藤君は元気に研究を続けており研究員の谷田部さん、Joel さんも元気です。（ついでに、橋詰と原先生もなんとか元気です）

2013年

2013/12/10
西口君が第17回(2013年秋季)応用物理学会北海道支部発表奨励賞を受賞しました。
リンクはこちら。 ⇒第17回（2013年秋季）応用物理学会北海道支部発表奨励賞受賞者紹介
2013/11/15
藤曲君が第35回(2013年秋季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
リンクはこちら。 ⇒第35回（2013年秋季）応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介
2013/11/12
橋詰教授が「国民との科学・技術対話推進事業」の一環で、高校生対象の公開講義を行っています。
詳しくはHPをご参照ください。 ⇒国民との科学・技術対話推進事業
2013/10/20
橋詰教授の招待講演（堀君が代理発表）が、2013 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS- MANTECH)のBest Paper Awardを受賞しました。
リンクはこちら ⇒CSManTech Paper Awards
2013/8/26
堀君が10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)のOutstanding Poster Presentation Awardを受賞しました。
リンクはこちら ⇒Poster Winners | 10th International Conference on Nitride Semiconductors
2013 7/1
2011年の水江千帆子さんの論文（"Capacitance-Voltage Characteristics of Al₂O₃/AlGaN/GaN Structures and State Density Distribution at Al₂O₃/AlGaN Interface"）が、JJAP誌の2012年被引用数のTop10に入りました。
⇒[Most Cited Articles 2012] ＞ Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 021001
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2013
Information はこちらから
⇒Click Here to TWHM2013
www.rciqe.hokudai.ac.jp/twhm2013/

2013 7/22
7/19（金）「CRESTパワー・先端素子半導体に関するシンポジウム」が開催されました。
プログラムはこちら。⇒ (プログラム)

2013 4/1
大井君が博士課程を修了し、富士電機システムズに就職しました。東石君、崎田君、金君が修士課程を修了し、東石君は富士電機システムズに就職しました。崎田君、金君は博士課程に進学しました。また、加藤君、千崎君、西口君の３名が修士課程に進学し、石郷岡君、大平君、小平君の３名が卒論生として新たに研究室に加わりました。

2011年

2011 12/23
2011年12月16-17日に、スーパーサイエンススクール（SSH）プログラムによる、旭川西高校生徒の研究実習が行われました。
⇒実習の様子はこちら

2011 10/31
原田君が第一著者の論文［Appl. Phys. Express 4, Art. No. 021002 (2011)］が「Semiconductor TODAY」誌にて紹介されました。
⇒Semiconductor TODAYへのリンク、またはPDFダウンロード

2011 9/30
東石君、金君が名古屋で開催されたInternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)にて、論文発表を行いました。

2011 7/10-15
大井君、堀君、胡さん、Joelさんがスコットランド（イギリス）で開催された9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)にて、論文発表を行いました。

2011 7/3-8
大井君、堀君がプラハ（チェコ共和国）で開催された13th International Conference on the Formation of Semiconductor interfaces (13th-ICFSI)にて、論文発表を行いました。

2011 4/1
水江さんが2010年度「北海道大学大塚賞」を受賞されました。
⇒情報科学研究科　研究科ニュース「平成22年度各賞受賞者」

2011 4/1
小川さん、水江さん、田島君が博士課程、原田君、堀君、森田君、駒形君が修士課程をそれぞれ修了しました。小川さんは富士電機システムズ、水江さんは住友電気工業伝送デバイス研究所、田島君は古河電気工業ファイテルフォトニクス研究所、原田君はデンソー、森田君はシャープ、駒形君はルネサスマイクロシステムに就職しました。堀君は博士課程に進学しました。

2011 3/23
小川さんの学術論文がJpn. J. Appl. Phys.編集委員会において、"SPOTLIGHTS"論文に選ばれました。
⇒[SPOTLIGHTS] ＞ Vol.50 (2011)
- "Variation of Chemical and Photoluminescence Properties of Mg-Doped GaN Caused by High-Temperature Process"
  Eri Ogawa and Tamotsu Hashizume
  Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 021002

2010年

2010 12/24
社会人選抜博士の大山公士さんが学位を取得し卒業されました。
⇒情報科学研究科　研究科ニュース「学位記授与式挙行」

2010 10/15
堀君の学術論文がJpn. J. Appl. Phys.編集委員会において、"SPOTLIGHTS"論文 に選ばれました。
⇒[SPOTLIGHTS] ＞ Vol.49 (2010)
- "Process Conditions for Improvement of Electrical Properties of Al₂O₃/n-GaN Structures Prepared by Atomic Layer Deposition"
  Y. Hori, C. Mizue, and T. Hashizume
  Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 080201

9/24
奥崎君が東京で開催されたInternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)にて、論文発表を行いました。

9/20-24
小川さん、大井君、堀君、原田君が米国のフロリダで開催されたInternational Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)にて、論文発表を行いました。
⇒会議の写真

9/4
Silesian大学（Porland）のMICZEK先生が訪問されました。9月20日まで滞在し、その後東京で開催されるSSDM2010に参加されます。

7/7
今年度の客員教授として高麗大学（韓国）のHwang先生が着任されました。（8月18日まで）

6/29
水江さんがスロバキアの首都Bratislavaで開催された16th Workshop on Dielectric Materials (WoDiM2010)にて、論文発表を行いました。

5/15
小川さんが三重で開催された第2回窒化物半導体結晶成長講演会（日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会）にて論文発表を行い、 発表奨励賞 を受賞しました。
⇒日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
- "Mg-doped GaN (Mg:7x10¹⁷cm^-3 - 2x10¹⁹cm^-3)の深い準位の評価"
  小川恵理,　橋詰保

5/14
堀君が大阪で開催されたInternational Meeting for Future for Electron Devices, Kansai (IMFEDK2010)にて、論文発表を行いました。

4/1
久保さんが名古屋工業大学助教として転出されました。
Joel AsubarさんがCREST研究員として着任されました。

3/31
大井君・菅原君が修士過程を修了し、大井君は博士課程に進学し、菅原君は東芝研究開発センターに就職しました。

2009年

09/09/17
科学技術研究機構（JST）の平成21年度戦略的創造研究推進事業（CREST）に橋詰教授の提案課題が採択されました。
⇒JST CREST採択一覧
- 橋詰保　教授
  研究領域「二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出」
  採択課題「異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開」

09/05/26
2009年春季第56回応用物理学会(筑波大学 09/03/30-09/04/02)における大井さんの発表が 講演奨励賞 を受賞しました。
⇒JSAPプログラム講演番号1a-TG-6
- 大井幸多 "多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性"

09/05/14-15
The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2009IMFEDK, Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, JP)において小川さんの発表が Student Paper Award を受賞しました。
⇒Awarded Researchers of the 2009 IMFEDK
- E.Ogawa "Effects of High-Temperature Anneal on Surface Properties of Mg-Doped GaN"

09/04/01
田島さん、水江両名のレター論文がJ. Jpn. Appl. Phys.のオンラインダウンロード月間トップ20にランクインしました。
⇒Top 20 Most Downloaded Articles - February 2009
- M.Tajima　第3位　"Effects of Surface Oxidation of AlGaN on DC Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors"
- C.Mizue　第2位　"UV-Induced Variation of Interface Potential in AlOx/n-GaN Structure"

09/03/25
木村さん、塩崎さんが博士課程を修了し学位［博士（工学）］を授与されました。

09/03/19
塩崎さんが2008年度 北海道大学大塚賞 を受賞されました。
⇒大塚賞受賞者

2008年

08/10/05-11
International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008, Montruex Music and Convention Center, Montruex, CH) において木村さん、塩崎さん、小川さん、田島さん、水江の５名が採択され、発表しました。
⇒会議の写真
- T.Kimura "Impurity Incorporation and Ga Outdiffusion at n-GaN Surfaces during High-temperature Annealing Processes"
- N.Shiozaki "Control of Elctronic States at n-GaN Surfaces by Photoelectrochemical Oxidation in Glycol Solution"
- E.Ogawa "Variation of Mg Density and Conductivity at p-GaN Surfaces Caused by High-temperature Anneal"
- M.Tajima "Impact of Surface Oxidation and Oxynitridation on DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs"
- C.Mizue "Depletion Layer Modulation at the Al2O3/n-GaN Interface under UV Illumination"

08/06/23-25
Device Research conference (DRC, University of California, Santa Barbara, CA)において橋詰保教授の招待講演が行われました。
- (invited) T.Hashizume "Surface Control of AlGaN for the Stability improvement of AlGaN/GaN HEMTs"

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研究内容・成果