先進ナノ電子材料｜北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターサイト

研究内容・成果

先進ナノ電子材料

III-V族化合物半導体エピタキシャル成長技術をベースとして、ナノレベル制御による接合構造、ナノ結晶を高密度で周期的に配列させた構造等を形成する技術等を確立し、半導体ナノ構造中の特性を理解・制御することにより、新しい光電子デバイス、先端環境デバイス、スピンデバイスの実現を目指しています。

教員／研究スタッフ

教授

石川史太郎

Researchmap

ishikawa.fumitaro[at]rciqe.hokudai.ac.jp

原子レベル構造制御で新概念の電子材料を創造する

物質が数100nm（ナノメートル, ＝1/10億メートル）以下のサイズになると, 普通の大きさとは大きく異なる性質が現れます。現在の半導体技術は, このようなサイズでトランジスタやレーザーが作られ, スマートフォンなど身近な電子機器に使用されています。III-V属半導体エピタキシャル成長を技術基盤に, 電気を利用したあらゆる場面で機能を発揮する半導体に興味を持ち, 既存性能を凌駕し, 新世代のデバイスを生み出すナノスケール半導体材料の開拓を目指します。