量子知能デバイス研究室の沖勇吾君(M2)が、令和6年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞を受賞しました。
量子知能デバイス研究室の沖勇吾君(M2)が、令和6年度電子デ
受賞者 :修士2年 沖勇吾
タイトル:「AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレ
発表日時:2024年5月24日
研究会名:電子デバイス研究会 5月研究会(機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 CPM, SDM合同)
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https://www.ieice.org/es/ed/jp
量子知能デバイス研究室の沖勇吾君(M2)が、令和6年度電子デ
受賞者 :修士2年 沖勇吾
タイトル:「AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレ
発表日時:2024年5月24日
研究会名:電子デバイス研究会 5月研究会(機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 CPM, SDM合同)
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https://www.ieice.org/es/ed/jp