科学研究補助金　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

（金額は令和4年度分）

1.科学研究費補助金基盤研究(S)平成30年度～令和4年度「知能コンピューティングを加速する自己学習型・革新的アーキテクチャ基盤技術の創出」,分担者：池辺将之(代表者：本村真人),2,000千円.

2.科学研究費補助金基盤研究(A),令和元～4年度,「半導体・酸化物複合ナノワイヤによる光・電子・スピン工学の融合」,代表者：石川史太郎,6,760千円.

3.科学研究費補助金基盤研究(A),令和4～7年度,「ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成」,代表者：冨岡克広,13,910千円.

4.科学研究費補助金基盤研究(A),令和3～8年度,「超高圧合成透明ナノセラミックス」,分担者：石川史太郎(代表者：入舩徹男),650千円.

5.科学研究費補助金基盤研究(A),令和3～6年度,「Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発」,分担者：本久順一,冨岡克広(代表者：深田直樹), 2,500千円.

6.科学研究費補助金基盤研究(B)，令和2～4年度，「半導体ナノワイヤを用いたベクトル光波の発生」，代表者：本久順一,5,200千円.

7.科学研究費補助金基盤研究(B)，令和3～6年度，「運動組織化と反射機能の電子化による筋電義手操作性の向上」，代表者：葛西誠也,2,800千円.

8.科学研究費補助金基盤研究(B),令和3～6年度,「低温成長による点欠陥密度の制御に基づくBi系�-�族半導体の発現機能の最大活用」,分担者：石川史太郎(代表者：富永依里子), 2535千円.

9.科学研究費補助金基盤研究(B)，令和2～5元年度，「強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用」，代表者：佐藤威友,3,900千円.

10.科学研究費補助金基盤研究(B)，令和3～6年度,「超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発」,分担者：佐藤威友(代表者：三好実人),650千円.

11.科学研究費補助金基盤研究(C),令和3～5年度,「関節リウマチ破壊性変化定量解析システムの妥当性評価」，分担者：池辺将之(代表者：神島保),100千円.

12.科学研究費補助金挑戦的研究（萌芽），令和3～4年度，「専門用語の知識保全エコシステムを有する特定研究グループ向け論文・図表DBの研究」，分担者:原真二郎(代表者:吉岡真治),1,040千円.

13.科学研究費補助金国際共同研究加速基金（国際共同研究強化(B)），平成31年度～令和4年度，「ナノ物質ネットワークの情報知能」，分担者:葛西誠也(代表者:松本卓也),700千円.

14.科学研究費補助金国際共同研究加速基金（国際共同研究強化(B)），令和3～7年度，「光通信を革新する新希釈窒素・希釈ビスマス量子ナノ光源の開拓」，代表者:石川史太郎,2,080千円.