政府・民間からの助成金

（金額は平成 30年度分）　　　　　　　　　　　　　　　　

1. NEDO 戦略的イノベーション推進プログラム, 平26～30 年, 「GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発：GaN MOS 界面物性の解明およびプロセス技術の開発」, 橋詰保，13,520 千円．

2. 国立研究開発法人科学技術振興機構戦略的国際共同研究プログラム（SICORP）, 平27～30年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「高い安定性を有するGaN-MOS トランジスタスイッチ」, 橋詰保，3,814 千円．

3. NEDO P16007 高効率・高速処理を可能とするAI チップ・次世代コンピューティングの技術開発，平成30 年～令和3 年，「革新的AI エッジコンピューティング技術の開発／ AI エッジデバイスの横断的なセキュリティ評価に必要な基盤技術の研究開発／電気的読出し技術」，葛西誠也，25,000 千円．

4. 東芝メモリ受託研究　平成30 年度, 「有用画像処理とDCNN の相互変換技術と悪環境下への最適画像処理」, 池辺将之, 1,080 千円．

5. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成28～32 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)」（研究代表者: 加地徹）, 研究分担者：赤澤正道, 佐藤威友, 10,000 千円.

6. 公益財団法人　カシオ科学振興財団：第34 回(2016 年度) 研究助成, 平成28～29 年度, 「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子応用と高性能化に関する研究」, 冨岡克広, 5,000千円．

7. 公益財団法人　矢崎科学技術振興記念財団：第34 回(2016 年度) 一般研究助成（新材料）,平成28 年度～31 年度, 「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用」, 冨岡克広, 1,086 千円．

8. 一般財団法人　サムコ科学技術振興財団：平成29 年度第1 回薄膜に関する研究助成, 平成29 年度～30 年度, 「高品質狭ギャップ半導体ナノワイヤ材料の創生と低電圧電子素子応用」,冨岡克広, 724 千円．

9. 公益財団法人　東電記念財団：平成30 年基礎研究助成，平成30 31 年度，「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子の高性能化に関する研究」，冨岡克広，6,000 千円．

10. 一般財団法人　テレコム先端技術研究支援センター：平成30 年SCAT 研究助成，平成30 32年度，「化合物半導体ナノワイヤによる立体縦型トランジスタ高速CMOS 技術の確立」，冨岡克広，1,200 千円．