政府・民間からの助成金

（金額は平成 28年度分）　　　　　　　　　　　　　　　　

1. NEDO 戦略的イノベーション推進プログラム, 平26～30 年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「GaN MOS界面物性の解明およびプロセス技術の開発」, 橋詰保，14,950 千円．

2. 国立研究開発法人科学技術振興機構戦略的国際共同研究プログラム（SICORP）, 平26～30年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「高い安定性を有するGaN-MOS トランジスタスイッチ」, 橋詰保，2,900 千円．

3. 総務省戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発（ICT イノベーション創出型）（フェーズII）, 平成28 年度, 「高速マルチサンプリング超解像CMOS テラヘルツイメージングデバイスの研究開発」（研究代表者: 池辺将之）, 研究分担者：佐野栄一,4,167 千円.

4. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成28～32 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)」（研究代表者: 加地徹）, 研究分担者：赤澤正道, 佐藤威友, 10,200 千円.

5. 公益財団法人平和中島財団(中島健吉記念助成金) 2016 年度国際学術共同研究助成, 平成28 年度, 「新奇縦型ナノワイヤスピントランジスタの磁気輸送特性制御技術の研究」, 原真二郎　（共同研究者:　Dr. Matthias T. Elm, Prof. Dr. Peter J. Klar), 5,000 千円．

6. 公益財団法人　村田学術振興財団：平成28 年度研究助成（自然科学）, 平成28 29 年度, 「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-V ハイブリッド電子デバイスの創成」, 冨岡克広,1,950 千円．

7. 公益財団法人　マツダ財団：第32 回(2016 年度) マツダ研究助成, 平成28 29 年度, 「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-V ハイブリッド電子デバイスの創成」, 冨岡克広, 1,000千円．

8. 公益財団法人　カシオ科学振興財団：第34 回(2016 年度) 研究助成, 平成28 29 年度, 「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子応用と高性能化に関する研究」, 冨岡克広, 5,000千円．

9. 公益財団法人　矢崎科学技術振興記念財団：第34 回(2016 年度) 一般研究助成（新材料）, 平成28 年度31 年度, 「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用」, 冨岡克広, 2,000 千円．