国内学会における講演発表：4６件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1939)国本大雅，原真二郎，本久順一：「(第53回講演奨励賞受賞)GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における中空ビームの生成」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

2.(1940)重松陽子，葛西誠也:「充足可能性問題を解く電子アメーバのバウンスバックルール圧縮」，第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

3.(1941)三ツ谷拓真，水野慎太郎，葛西誠也:「ナノ凸構造埋込SiMOSFETにおけるナノ構造と電気的特性の対応」，第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

4.(1942)吉田聖，葛西誠也:「リザバー計算手法を用いた表面筋電信号解析と随意運動の読出し」，第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

5.(1943)葛西誠也:「(招待講演)電子アメーバにみる身体ダイナミクスと計算能力の関係」，第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

6.(1944)鳥生大樹,東浦健人,福田玲,石川史太郎,新名亨,入舩徹男:「高温・高圧処理したBイオン注入ダイヤモンドの構造評価」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

7.(1945)谷川武瑠,岡野昂輝,石川史太郎:「白色蛍光体AlGaOxナノワイヤのラビング処理及びその特性評価」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

8.(1946)原田南斗,梅西達哉,香西優作,富永依里子,行宗詳規,石川史太郎,梶川靖友:「低温成長GaAs1−xBixのホッピング伝導機構の解析」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

9.(1947)東佑樹,木村峻,蒲生浩憲,本久順一,冨岡克広:「ウルツ鉱構造InPナノワイヤ発光ダイオードの電流注入特性と発光特性」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

10.(1948)国本大雅,原真二郎,本久順一:「GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における中空ビームの生成」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

11.(1949)大澤由斗,大神洸貴,越智亮太,堀切文正,福原昇,佐藤威友:「n-GaN加工表面に対するコンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチング(2)」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

12.(1950)高津海,久保広太,佐藤威友:「n型及びp型GaN表面の電気化学的評価」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

13.(1951)富樫拓也,伊藤滉朔,越智亮太,佐藤威友:「光電気化学(PEC)エッチングの自己停止とAlGaN/GaNHEMTのゲートリセス加工」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

14.(1952)忽滑谷崇秀,玉村祐也,久保広太,佐藤威友,赤澤正道:「Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

15.(1953)玉村祐也,忽滑谷崇秀,赤澤正道:「Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対するGaN表面近傍欠陥準位の影響(2)」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

16.(1954)畠山優希,赤澤正道:「低濃度Mgイオン注入後高温キャップアニールしたGaNにおける伝導帯付近界面準位のn-GaNMOS構造を利用した評価」,第83回応用物理学会秋季学術講演会,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

17.(1955)橋詰保,赤澤正道:「(招待講演)GaNMOS界面制御とパワートランジスタ応用」,第83回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム,仙台（ハイブリッド開催）(2022).

18.(1956)K.Minehisa,H.Hashimoto,K.Nakama,T.Tanigawa,K.Sakaguchi,M.Yukimune, andF.Ishikawa:"2inchWaferScaleGaAsNanowiresSynthesisbySelf-Catalyzed MolecularBeamEpitaxy",第41回電子材料シンポジウム,奈良県橿原市(2022).

19.(1957)H.Hashimoto,T.Tanigawa,K.Minehisa,K.Nakama,K.Nagashima,T.Yanagida, andF.Ishikawa:"StrainDeformationofGaAs/AlGaOxCore-ShellNanowiresMakingCylindricalMicrostructure",第41回電子材料シンポジウム,奈良県橿原市(2022).

20.(1958)K.Nakama,M.Yukimune, A.Higo, andF. Ishikawa:"GaAs/GaInNAsCoreMultishellNanowiresArraysEmittingat1.28μmonPatternedSilicon(111)Grown byMolecularBeamEpitaxy",第41回電子材料シンポジウム,奈良県橿原市(2022).

21.(1959)木村峻,蒲生浩憲,勝見悠,本久順一,冨岡克広:「代替ナノ光源に向けた異なるpn接合構造を持つウルツ鉱InPナノワイヤ発光ダイオード」,第第41回電子材料シンポジウム,奈良県橿原市(2022).

22.(1960)国本大雅,原真二郎,本久順一:「コアマルチシェルナノワイヤより得られたベクトルビームの偏光状態」,第41回電子材料シンポジウム,奈良県橿原市(2022).

23.(1961)中間海音,行宗詳規,肥後昭男,石川史太郎:「加工基板を用いた位置選択MBE法によるSi(111)GaAs上ナノワイヤ成長条件の検討」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

24.(1962)橋本英季,峰久恵輔,中間海音,谷川武瑠,長島一樹,柳田剛,石川史太郎:「GaAs/AlGaOxコア-シェルナノワイヤの自然酸化による剥離とシリンダ形成」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

25.(1963)峰久恵輔,橋本英季,中間海音,谷川武瑠,行宗詳規,石川史太郎:「無加工２インチSi基板上GaInNAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

26.(1964)東佑樹,木村峻,蒲生浩憲,本久順一,冨岡克広:「ウルツ鉱型構造InPナノワイヤ発光ダイオードの電流注入特性と発光特性の評価とウルツ鉱型構造InPフィンの作製」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

27.(1965)木村峻,蒲生浩憲,勝見悠,本久順一,冨岡克広:「黄色ナノ光源に向けたウルツ鉱構造InP/AlInPコアシェルナノワイヤ成長」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

28.(1966)倉知龍太朗,古内久大,本久順一:「RF-MBE法によるGaNナノワイヤの選択成長における表面拡散の影響」,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,山口県宇部市(2022).

29.(1967)岡本茉那美,冨岡克広,本久順一:「InP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤによる発光ダイオードの評価」,第58回応用物理学会北海道支部／第19回日本光学回北海道支部合同学術講演会,室蘭(2023).

30.(1968)国本大雅，原真二郎，本久順一:「(招待講演)GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における軸対称偏光ビームの生成」,第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

31.(1969)葛西誠也：「リザバー計算系におけるネットワークの複雑性と計算能力」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

32.(1970)中間海音,行宗詳規,峰久恵輔,肥後昭男,石川史太郎:「パターン開口Si加工基板を用いたMBE法によるGaAs系ナノワイヤ成長条件最適化」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

33.(1971)橋本英季,峰久恵輔,中間海音,谷川武瑠,長島一樹,柳田剛,石川史太郎:「GaAs/AlGaOxコア-シェルナノワイヤ埋込構造の成長と最外殻シェル層に起因する構造変形」,第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

34.(1972)峰久恵輔,橋本英季,中間海音,谷川武瑠,行宗詳規,石川史太郎:「MBE法を用いた無加工２インチSi基板上GaInNAsナノワイヤ成長」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

35.(1973)梅田皆友,今林弘殻,塩島謙次,梅西達哉,富永依里子,行宗詳規,石川史太郎,上田修:「低温MBE成長GaAsBi層の光電評価」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

36.(1974)上田修,池永訓昭,堀田行紘,高垣佑斗,西山文隆,行宗詳規,石川史太郎,富永依里子:「(001)GaAs基板上のGaAs1−xBix薄膜の構造評価(1)熱処理した低温成長GaAs1−xBix薄膜中の欠陥のTEM評価」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

37.(1975)上田修,池永訓昭,堀田行紘,高垣佑斗,西山文隆,行宗詳規,石川史太郎,富永依里子:「(001)GaAs基板上のGaAs1−xBix薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs1−xBix薄膜中の欠陥のTEM評価」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

38.(1976)冨岡克広,勝見悠,木村峻,蒲生浩憲,本久順一:「(注目講演)結晶相転移接合トランジスタの作製」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催) (2023).

39.(1977)東佑樹,木村峻,蒲生浩憲,本久順一,冨岡克広:「MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InPフィン構造の作製」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

40.(1978)国本大雅,原真二郎,本久順一:「(第53回講演奨励賞受賞記念講演)GaAs/InGaAs/ GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における軸対称偏光ビームの生成」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

41.(1979) SumanMukherjeeandJunichiMotohisa: "Polarizationdependenceofquantumdot excitonicemissionfromInAsxP1−x/InPnanowireheterostructure",第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

42.(1980)越智亮太,富樫拓也,大澤由斗,堀切文正,福原昇,赤澤正道,佐藤威友:「AlGaN/GaNHEMTsにおけるフェルミレベルピンニングに対するPECエッチングの効果」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

43.(1981)富樫拓也,沖勇吾,大澤由斗,越智亮太,佐藤威友:「AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

44.(1982)高津海,久保広太,佐藤威友:「p-GaN表面層に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催) (2023).

45.(1983)忽滑谷崇秀，玉村祐也，久保広太，高津海,佐藤威友，赤澤正道:「Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).

46.(1984)畠山優希，赤澤正道,成田哲生,MichalBockowski,加地徹:「Mgイオン注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価」，第70回応用物理学会春季学術講演会,東京(ハイブリッド開催)(2023).