国内学会における講演発表：40件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1985) 中間海音, 行宗詳規, 峰久恵輔, 肥後昭男, 石川史太郎:「パターンSi 基板を用いた
　　　　 位置選択MBE 法によるGaAs 系ナノワイヤ配列・構造制御」, 第15 回ナノ構造エピ
　　　　 タキシャル成長講演会, 山形市(2023).

2.(1986) 橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎:
　　　　 「GaAs/AlGaAs コア-シェルナノワイヤ埋込構造における酸化プロセスと構造変形」,
　　　　 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).

3.(1987) 峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 石川史太郎:「近赤外域発光を示す2 インチSi(111)
　　　　 基板上GaInAs, GaNAs, およびGaInNAs ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」,
　　　　 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).

4.(1988) 森元祥平, 倉知龍太郎, 本久順一:「RF-MBE 選択成長法によるGaN ナノフィンの
　　　　 作製」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).

5.(1989) 竹田有輝, 蒲生浩憲, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型
　　　　 トランジスタの作製」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).

6.(1990) 中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎:「MBE 法による通信帯域発光波長を
　　　　 有するGaAs/GaInNAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS 成
　　　　 長」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

7.(1991) 橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 石川史太郎:「GaAs ナノワイヤにおける窒素パッシ
　　　　 ベーションとアニール処理の光学特性への影響」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演
　　　　 会, 熊本市(2023).

8.(1992) 荒川竜芳, 梅西達哉, 齋藤聖哉, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎:「光
　　　　 学測定に基づく低温成長InyGa1¡yAs1¡xBix のバンド端ゆらぎの解析」, 第84 回応用
　　　　 物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

9.(1993) 竹田有輝, 蒲生浩憲, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型
　　　　 トランジスタの作製」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

10.(1994) 東佑樹, 鄭子ヨウ, 本久順一, 冨岡克広:「MOVPE 選択成長法によるウルツ鉱型InP
　　　　 　薄膜成長と評価」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

11.(1995) 吉田聖，葛西誠也:「アナログ電子アメーバの時定数と最適化問題解探索能力の関
　　　　 　係」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

12.(1996) 大澤由斗, 赤澤正道, 佐藤威友:「GaNのコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチ
　　　　 　ングにおける溶液pH の影響」，，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

13.(1997) 高津海, 佐藤威友:「p-GaN 表面層に対する低損傷PEC エッチングとその電気化学
　　　　 　的評価(2)」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).

14.(1998) 富樫拓也, 沖勇吾, 大澤由斗, 越智亮太, 赤澤正道, 佐藤威友:「AlGaN/GaN ヘテ
　　　　 　ロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御」，第84 回応用物理学会秋季学術講
　　　　 　演会, 熊本市(2023).

15.(1999) 沖勇吾，富樫拓也，越智亮太，佐藤威友:「コンタクトレスPEC エッチングを用い
　　　　 　たAlGaN/GaN HFET の素子間分離」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本
　　　　 　市(2023).

16.(2000) 忽滑谷崇秀, 焦一寧，高津海, 佐藤威友, 赤澤正道: 「光電気化学エッチングを施
　　　　 　したp-GaN を用いたMOS 構造のサブバンドギャップ光支援C-V 測定」, 第84 回応
　　　　 　用物理学会秋季学術講演会, 熊本(2023).

17.(2001) 焦一寧，忽滑谷崇秀, 赤澤正道: 「p-GaN MOS 構造界面特性の絶縁膜依存性」, 第
　　　　 　84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本(2023).

18.(2002) 新藤源太, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850 ℃ア
　　　　 　ニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価」, 第84
　　　　 　回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本(2023).

19.(2003) 羅宇瀏, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン注入後低温アニールを行ったGaN のMOS
　　　　 　構造を用いた評価」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本(2023).

20.(2004) 畠山優希, 赤澤正道, 成田哲生, Michal Bockowski, 加地徹:「Mg イオン注入後超高
　　　　 　圧アニールを行ったGaN のMOS 界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価」, 第84 回
　　　　 　応用物理学会秋季学術講演会, 熊本(2023).

21.(2005) Y. Kozai, K. Kimura, T. Umenishi, S. Saito, Y. Tominaga, M. Yukimune, F.
　　　　 　Ishikawa, N. Happo, and K. Hayashi: "Crystallographic characterization of lowtemperature-
　　　　 　grown GaAsBi using X-ray fluorescence holography", 第42 回電子材料
　　　　 　シンポジウム, 奈良県橿原市(2023).

22.(2006) H. Imabayashi, M. Umeda, K. Shiojima, T. Umenishi, Y. Tominaga, M. Yukimune,
　　　　 　F. Ishikawa, and O. Ueda: "Photoelectrical Characterization of Low-Temperature-
　　　　 　MBE-Grown GaAsBi Layers", 第42 回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, (2023).

23.(2007) S. Morimoto, R. Kurachi, and J. Motohisa: "Study on the fabrication of GaN
　　　　 　nanofins by RF-molecular-beam-epitaxy", 第42 回電子材料シンポジウム, 奈良県
　　　　 　橿原市, (2023).

24.(2008) 冨岡克広:「(招待講演) Heterogeneous Integration of III-V Nanowires on Si and Their
　　　　 　Applications」, ナノ学会合同シンポジウム、北九州市(2024).

25.(2009) 富永依里子, 石川史太郎, 池永訓昭, 上田修:「（招待講演）THz 波発生検出素子応
　　　　 　用に向けた低温成長Bi 系III-V 族半導体の結晶欠陥制御」, レーザー学会学術講演会
　　　　 　第44 回年次大会, 一般社団法人レーザー学会, 東京(2024).

26.(2010) 上田羽純, 葛西誠也:「セルオートマトンにおける1/f ゆらぎの生成と外乱の影響」,
　　　　 　令和5 年度IEICE 北海道支部学生会主催インターネットシンポジウム, オンライン
　　　　 　(2024).

27.(2011) 峰久惠輔, 橋本英李, 中間海音, 石川史太郎:「近赤外域で光吸収・発光特性を示す
　　　　 　Si 上化合物半導体ナノワイヤ」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

28.(2012) 中間海音, 峰久惠輔, 橋本英李, 石川史太郎:「MBE法によるSi(111) 基板上GaAs ナ
　　　　 　ノワイヤ核形成初期段階の検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

29.(2013) 飯田竜雅, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎:「積層周期を変化させた
　　　　 　GaAs/GaNAs コア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの分子線エピタキシャ
　　　　 　ル成長」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

30.(2014) 後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎:「GaAs/GaInNAsSb コア-
　　　　 　マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」, 第71 回応用物理学会春季学
　　　　 　術講演会, 東京(2024).

31.(2015) 橋本英季, 飯田竜雅, 後藤拓翔, 峰久惠輔, 中間海音, 石川史太郎:「GaAs 系ナノワ
　　　　 　イヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響」, 第71 回応用物理学会春季
　　　　 　学術講演会, 東京(2024).

32.(2016) 竹田有輝, 東佑樹, 鄭子, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上のInAs/Si ヘテロ接合ト
　　　　 　ンネルFET の作製と評価」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

33.(2017) 古内久大、本久順一、佐藤威友:「コンタクトレスPEC エッチングを用いたGaN ナ
　　　　 　ノワイヤ作製におけるマスク材料の検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東
　　　　 　京(2024).

34.(2018) 松田一希, 葛西誠也:「粘菌型自律ロボットの行動発達に向けた歩行移動距離推定法の
　　　　 　検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

35.(2019) 谷田部然治, 葛西誠也:「1/f 雑音の電子トラップ時定数分布」, 第71 回応用物理学会
　　　　 　春季学術講演会, 東京(2024).

36.(2020) 呂任翔, 三ツ谷拓真, 葛西誠也:「Si MOSFET における埋込みナノ構造に対する感
　　　　 　度の改善」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

37.(2021) 焦一寧, 忽滑谷崇秀, 高津海, 佐藤威友, 赤澤正道:「光電気化学エッチングを施した
　　　　 　p-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響」, 第71 回応用物理学会春
　　　　 　季学術講演会, 東京(2024).

38.(2022) 新藤源太, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850 ℃ア
　　　　 　ニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)」, 第
　　　　 　71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

39.(2023) 羅宇瀏, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン注入後2 段階アニールを行ったGaN 中の
　　　　 　伝導帯付近禁制帯準位のMOS 構造を用いた評価」, 第71 回応用物理学会春季学術講
　　　　 　演会, 東京(2024).

40.(2024) 畠山優希, 加地徹, 赤澤正道:「Mg とN のイオン共注入後超高圧アニールを行った
　　　　 　GaN のMOS 界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価」, 第71 回応用物理学会春季学術
　　　　 　講演会, 東京(2024).