国内学会における講演発表：４2件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1767) 冨岡克広, 本久順一:「（招待講演）半導体ナノワイヤ選択成長と電子デバイス応用」第9 回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).

2.(1768) 南祐輔, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Ge(111) 基板上のGaAs ナノワイヤ選択成長」第9 回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).

3.(1769) 山本侑也, 環尚人, 本久順一:「縦型ナノワイヤFET に向けたGaN ナノワイヤ形成条件の検討」第9 回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).

4.(1770) 佐々木正尋, 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「InAsP 埋め込みInP ナノワイヤにおける発光波長制御」第9 回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).

5.(1771) 清水克真, 法元盛久, 大八木康之, 西尾俊平, 成瀬誠, 松本勉, 葛西誠也: 「ゲート埋込ナノ構造とMOSFET 電流-電圧特性の相関に関する基礎検討」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

6.(1772) 葛西誠也, 一木輝久, 田所幸浩: 「双安定系確率共鳴における雑音による微小信号高感度応答の数理機構」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

7.(1773) 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保: 「Al2O3/GaN 構造の界面制御プロセス」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

8.(1774) 及木達矢, 西口賢弥, 山田真嗣, 桜井秀樹, 上村隆一郎, 長田大和, 加地徹, 橋詰保:「MOS 構造によるGaN 表面のICP エッチング誘起欠陥の評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

9.(1775) 問谷翔太, 橋詰保:「m 面GaN 層に形成したMOS 構造の界面特性評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

10.(1776) 安藤祐次, 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保:「AlxGa1¡xN/GaN MOS-HEMT のゲート制御特性評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

11.(1777) 西口賢弥, 金木奨太, 橋詰保:「Al2O3 膜を用いたAlGaN/GaN MOS HEMT の電流制御性向上」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

12.(1778) 小平竜太郎, 堀口竜麻, Patrick Uredat, Matthias T. Elm, Peter J. Klar, 原真二郎:「Magnetotransport Properties of Single InAs Nanowires」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

13.(1779) 堀口竜麻, 飯田勝也, 森田浩平, 原真二郎:「Si 上にSA-MOVPE 成長したMnAs ナノクラスタの磁区構造制御」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

14.(1780) 植村圭佑, 佐藤威友, 橋詰保:「光電気化学(PEC) 反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

15.(1781) 松本悟, 佐藤威友, 成田哲生, 加地徹, 橋詰保:「光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

16.(1782) 冨岡克広, 本久順一:「（招待講演）MOVPE 選択成長法によりナノワイヤ成長とデバイス応用」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

17.(1783) 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Si 基板上InGaAs ナノワイヤアレイフォトダイオード」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

18.(1784) 佐々木正尋, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「InAsP 量子ドットナノワイヤにおける通信波長帯発光」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

19.(1785) 横田直茂, 植竹啓, 赤澤正道:「Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

20.(1786) 長谷崎泰斗, 赤澤正道:「絶縁体超薄膜挿入によるGaN ショットキーダイオード特性の変化」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

21.(1787) 北嶋翔平, 赤澤正道:「Al2O3 超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性」第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).

22.(1788) 渡久地政周, 佐藤威友:「Franz-Keldysh 効果を用いた窒化ガリウムの光電気化学反応制御」2017 年電気化学会秋季大会, 長崎市(2017).

23.(1789) 渡久地政周, 松本悟, 佐藤威友: 「表面加工を施した窒化ガリウムの特異的光吸収特性と光電気化学エッチングの制御」2018 年電気化学会第85 回大会, 東京(2018).

24.(1790) 平松正太, 池辺将之, 佐野栄一: 「テラヘルツ帯広帯域オンチップアンテナの設計」2017 信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 東京(2017).

25.(1791) 長谷川大, 佐野栄一: 「２次元右手／左手複合伝送線路の特性解析」2017 信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 東京(2017).

26.(1792) 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Si 基板上InGaAs ナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36),長浜(2017).

27.(1793) 佐々木正尋, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「通信波長帯で発光するナノワイヤ量子ドットの成長と評価」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).

28.(1794) 南祐輔, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「太陽光発電応用に向けたGe(111) 基板上GaAs ナノワイヤのMOVPE 選択成長」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).

29.(1795) 吉田旭伸, 南祐輔, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「Ge(111) 基板上InGaAs ナノワイヤ選択成長」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).

30.(1796) 山本侑也, 環尚杜, 本久順一:「縦型ナノワイヤFET に向けたGaN ナノワイヤ成長条件の検討」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).

31.(1797) 冨岡克広, 吉田旭伸, 南祐輔, 石坂文哉:「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ縦型トランジスタのチャネル長スケーリング効果」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).

32.(1798) 堀口竜麻, 飯田勝也, 森田浩平, 原真二郎:「Si 上に選択成長したMnAs ナノクラスタの磁区及び磁壁評価」, 第53 回応用物理学会北海道支部/第14 回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2018).

33.(1799) 北嶋翔平, 赤澤正道;「Al2O3 およびプラズマ酸化物超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性」第53 回応用物理学会北海道支部／第14 回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2018).

34.(1800) 山田真嗣, 櫻井秀樹, 大森雅登, 須田淳, 長田大和, 上村隆一郎, 及木達矢, 橋詰保, 加地徹:「多段ICP-RIE によるn 型GaN のエッチングダメージの制御」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

35.(1801) 及木達矢, 橋詰保:「高温アニールがAl2O3/GaN 界面特性に及ぼす影響」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

36.(1802) 金木奨太, 橋詰保:「ALD-Al2O3 を用いたGaN MOS ゲート構造の界面制御」第65回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

37.(1803) 安藤祐次, 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保:「Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS HEMTの動作安定性」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

38.(1804) 小平竜太郎, 堀口竜麻, 原真二郎:「屈曲したMnAs/InAs ヘテロ接合ナノワイヤの磁気特性および構造評価」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

39.(1805) 吉田旭伸, 冨岡克広, 千葉康平, 本久順一:「Ge 上InGaAs ナノワイヤの組成評価と縦型素子応用」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

40.(1806) 蒲生浩憲, 冨岡克広, 吉田旭伸, 千葉康平, 本久順一:「Si 上InAs ナノワイヤ縦型FET 高性能化の検討」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

41.(1807) 北嶋翔平, 赤澤正道:「プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

42.(1808) 植竹啓, 横田直茂, 赤澤正道:「Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化(2)」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).