研究会等における講演：8件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(317) 橋詰保:「GaN 系半導体のMOS 界面制御」日本学術振興会第162 委員会第103 回研究会, 金沢(2017).

2.(318) 橋詰保:「GaN 系トランジスタにおける界面制御」応用物理学会応用電子物性分科会研究会, 大阪(2017).

3.(319) 橋詰保: 「(基調講演) GaN MIS 界面とトランジスタ応用～これまでのIII-V MIS 界面と違いはあるのか～」、日本結晶成長学会・ナノ構造・エピタキシャル成長分科会・第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).

4.(320) 平松正太, ナソクジン, 横山紗由里, 池辺将之, 佐野栄一:「CMOS テラヘルツイメージング用オンチップアンテナの小型化」映像情報メディア学会研究会, 札幌(2017).

5.(321) 稲田一稀, 位田祐基, 葛西誠也:「非線形素子ネットワークを用いた表面筋電検出技術におけるユーザー適応パラメータ最適化機能の実装」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 東京(2017).

6.(322) 植村圭佑, 松本悟, 渡久地政周, 伊藤圭亮, 佐藤威友:「光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 名古屋(2017).

7.(323) 佐野栄一, 池辺将之:「(招待講演) シリコンCMOS プロセスを用いたテラヘルツ検出器」シンポジウム　テラヘルツ科学の最先端IV, 熱海(2017).

8.(324) 葛西誠也:「（招待講演）生体機能に倣ったゆらぎと共存協調する電子デバイス」第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－, 三島(2018).