研究会等における講演：１1件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(292) 橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治:「界面電子準位とGaN パワーデバイスの動作安定性」半導体界面制御技術第154 委員会第95 回研究会, 東京(2105).

2.(293) 熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友:「分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 豊橋,(2105).

3.(294) 谷田部然治, 橋詰保:「Al2O3/AlGaN/GaN 構造の界面電子準位評価」電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会/シリコンテクノロジー分科会合同研究会, 名古屋(2105).

4.(295) 喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友:「電気化学的手法によるGaN 多孔質構造の形成と紫外光応答特性」電子情報通信学会電子デバイス研究会/電気学会フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会, 東京(2105).

5.(296) 位田祐基, 白田健人, 大矢剛嗣, 葛西誠也:「確率共鳴と多重表面電極を組み合わせた安定表面筋電検出」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 東京(2105).

6.(297) 葛西誠也, 佐々木健太郎, 黒田亮太, 岡本翔真, 井上慎也, 小川琢治:「分子ネットワークにおける時空間分解電荷検出の基礎的検討」第6 回研究会分子アーキテクトニクス研究会, 京都(2105).

7.(298) 田代省平, 殷翔, 佐々木健太郎, 塩谷光彦, 葛西誠也:「ナノリング分子からなる超分子ナノファイバーの電気伝導性評価に向けて」第6 回研究会分子アーキテクトニクス研究会, 京都(2105).

8.(299) 橋詰保:「GaN MOS トランジスタの課題と界面制御」応用物理学会先進パワー半導体分科会第２回研究会, 大阪(2105).

9.(300) 橋詰保:「GaN 異種接合界面の制御と先端HEMT 技術への応用」2015 年真空・表面科学合同講演会, つくば(2105).

10.(301) 宮島卓也, 板津太郎, 杉目恒志, ステファヌス・アルノード, 尾辻泰一, 佐野栄一:「光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 仙台(2105).

11.(302) X. Yin, P. Liu, H. Tanaka, T. Maemoto, and S. Kasai: " Nonlinear voltage transfer characteristics of a graphene three-branch nano-junction device and its control, "電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会, 札幌(2106).