■研究目的
MBEエレクトロニクスグループでは、分子線エピタキシー(MBE)法による半導体結晶成長技術と独自の
超高真空一貫プロセスをベースとし最新鋭の半導体結晶成長・加工・評価技術を駆使し、エレクトロニクスの高度化に必要不可欠な
III-V族化合物半導体ナノ構造形成、表面界面物性制御および量子ナノデバイス技術の構築を目的としています。そしてこれらの技術を、
ユビキタスネットワーク社会を支える超高速通信用デバイスや、超高速・低消費電力コンピューティングを実現する量子ナノデバイスと
その高密度集積回路へと応用展開しています。
■主な研究テーマ
(1) 量子ナノ構造形成技術
MBE選択成長技術により量子ドット・量子細線集積構造の形成方法を研究しています。
種々の応用を目指しGaAs系、InP系やGaN系材料について取り組んでおり、大規模高密度集積化・高温動作を可能にする構造微細化を進めています。
1cm平方あたり10億もの六角形セルを集積化した量子ナノ細線ネットワーク構造の形成に成功しました。 |