量子知能デバイス研究室・植村圭佑君（修士２年）が、International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)で”Student Award”を受賞しました！

なおこの賞は、世界各国からノミネートされた約380件の発表のうち上位5%に与えられたものです。

“Effect of Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing on Gate-controllability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors”
Keisuke Uemura, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Taketomo Sato