研究内容・成果 - 知的財産権

特許登録

特許登録

1. 中華人民共和国特許登録 ZL200980128161.6.  「相補型論理ゲート装置」発明者:尾辻泰一, 佐野栄一.

2. 日本国特許登録 5424274  「相補型論理ゲート装置」発明者:尾辻泰一, 佐野栄一.

3. 日本国特許登録 5339377  「センサ及びセンサの製造方法」発明者:佐藤威友.

4. EU 特許登録 EP1804347  「テラヘルツ電磁波放射素子及びその製造方法」発明者:尾辻泰一, 佐野栄一.

5. 日本国特許登録 5272172  「半導体装置」発明者:葛西誠也.

6. 日本国特許出願 2013-138894  「発光素子およびその製造方法」発明者:福井孝志、石坂文哉、冨岡克広.

7. 日本国特許出願 2013-168048  「トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」発明者:冨岡克広、福井孝志.

8. 日本国特許出願 2013-226675  「III-V 族化合物ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」発明者:冨岡克広、福井孝志.

9. 日本国特許出願 2014-027399  「発光素子およびその製造方法」発明者:福井孝志、平谷佳大.

10. 日本国特許出願 2013-264252  「電磁波吸収材」発明者:秋庭英治, 佐野栄一.

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