Main Research Facility

図1 表面反応制御形量子界面形成加工評価システム

Fig.1 UHV-based MBE-MOVPE growth/fabrication/characterization
system installed in a super clean room.



図2 自己組織化による化合物半導体量子構造を形成する有機金属気相成長装置。   図3 ナノメートルサイズでのレジストパターン形成が可能な電子ビーム描画装置。   図4 0.6ナノメートルの分解能で微細構造を観測できる走査型電子顕微鏡。

Fig.2 Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) system for self-organized growth of compound semi-conductor quantum structures.


Fig.3 Electron beam lithography system for fabrication of nm-sized quantum structures and devices. 


Fig.4 Scanning electron microscope with a resolution of 0.6nm.


図5 mKの極低温を実現する希釈冷凍機。

Fig.5 Dilution refrigerator allowing characterization at ultra-low temperatures in mK range.

  図6 超高真空非接触容量-電圧測定装置

Fig.6 By using a narrow UHV gap (100nm-300nm), contactless C-V characterization can be carried out on semiconductor free/processed surfaces and ultrathin insulator/semiconductor interfaces. 


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