Research

Research area for Advanced Electronic Nanomaterials

窒化ガリウム系およびガリウムヒソ系半導体をベースとして、ナノレベル制御による接合構造、ナノ結晶を高密度で周期的に配列させた構造等を形成する技術を確立し、半導体ナノ構造中の特性を理解・制御することにより、新しい光電子デバイス、先端環境デバイス、スピンデバイスの実現を目指しています。

新着情報


受賞等

過去の記事一覧

卒業生・修了生一覧

教員/研究スタッフ

教授
橋詰 保
北海道大学研究者総覧へ
JST-CRESTプロジェクト
研究領域:

「二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出」

採択課題:

「異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開」

プロジェクトへのリンク

Dr. Asubar Joel T
Dr. Asubar Joel T
(博士研究員)
谷田部 然治
谷田部 然治
(博士研究員)
 

大学院生

堀 祐臣
博士3年 堀 祐臣
(学振特別研究員)
金 聖植
博士1年
金 聖植
崎田 晋哉
博士1年
崎田 晋哉
中野 智
修士2年
中野 智
馬 万程
修士2年
馬 万程
藤曲 央武
修士2年
藤曲 央武
加藤 弘晃
修士1年
加藤 弘晃
千崎 泰
修士1年
千崎 泰
西口 賢弥
修士1年
西口 賢弥

卒論生

石郷岡 武史
大平 城二
小平 竜太郎

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