ーGaN熱電変換素子の開発ー 電子科学研究所の太田教授との共同研究によりGaNへテロ構造を利用した新しい熱電変換デバイスを開発し、従来の熱電変換材料の数倍の出力因子を実現しました。
量子結晶フォトニクス研究室の橋詰教授と金木奨太君（M２）は、電子科学研究所の太田教授との共同研究により、絶縁ゲート型AlGaN/GaNデバイスが優れた熱電変換特性を有することを示し、従来の熱電変換材料の数倍の出力因子を実現しました。
この成果はAdvanced Science誌に掲載され（http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.201700696/full）、日本経済新聞の電子版等で紹介されています（https://www.nikkei.com/article/DGXLRSP464268_X21C17A1000000/）。詳しい内容は、11月27日付の北海道大学のプレスリリース記事を参照ください（https://www.hokudai.ac.jp）。
