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集積電子デバイス研究室・冨岡克広准教授の論文が「2016 SSDM Paper Award」を受賞!!

集積電子デバイス研究室の冨岡克広准教授、石坂文哉君(D3),本久順一教授、福井孝志名誉教授が、「2016 SSDM Paper Award」を受賞しました。

 

この賞は、昨年行われた2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015)において発表された論文の中で、最も優れた論文に授与されるものです。

授賞式は、2016年9月27日につくば国際会議場で開催された、2016 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016)において行われました。

論文タイトルおよび詳細は、下記の通りです。

論文タイトル:"Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction"

http://www.ssdm.jp/award.html

 

※SSDM(国際固体素子・材料コンファレンス/International Conference on Solid State Devices and Materials)

2016 年に49 回目を迎えた日本で開催される伝統ある国際会議であり、固体技術及び固体物質の分野における非常に重要な大規模会議の一つです。最新の科学的業績及び技術情報を交換する機会を提供しています。固体デバイス及び物質に関する広い分野を網羅しており、15 の分野が議論のために用意されています。応用物理学会が後援及び、IEEE Electron Devices Societyが技術的協賛を行っています。

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