研究内容・成果 - 知的財産権

特許登録

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1. 米国特許登録US8917804「クロックデータ再生回路及びそれを含む無線モジュール」発明者:佐野栄一, 雨宮好仁.

2. 米国特許登録 13499333「トンネル効果トランジスタおよびその製造方法」発明者:冨岡克広, 福井孝志, 田中智隆.

3. 米国特許登録 US8816324B2「半導体装置及び半導体装置の製造方法」発明者:福井孝志,冨岡克広, 本久順一, 原真二郎.

4. 中国特許登録 ZL200880131591.9  「半導体発光素子アレー,およびその製造方法」発明者:比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志.

5. 日本国特許登録 5652827 「トンネル効果トランジスタおよびその製造方法」発明者:冨岡克広, 福井孝志, 田中智隆.

6. 日本国特許登録 5655228 「半導体構造物の製造方法」発明者:冨岡克広、福井孝志, 本久順一, 原真二郎.

7. 米国特許登録 US8895958B2「発光素子およびその製造方法」発明者:福井孝志, 冨岡克広.

8. 中国特許登録 ZL201080043950.2 「トンネル効果トランジスタおよびその製造方法」発明者:冨岡克広, 福井孝志, 田中智隆.

9. PCT 出願PCT/JP2014/004175「トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」発明者:冨岡克広, 福井孝志.

10. 台湾特許出願 103127711 「トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」発明者:冨岡克広, 福井孝志.

11. PCT 出願 PCT/K10102US 「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」発明者:冨岡克広, 福井孝志.

12. 台湾特許出願 K10102TW 「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」発明者:冨岡克広, 福井孝志.

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