特許登録
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1.日本国特許登録
特許番号： 496345
登録日： 2012/4/6
発明の名称：「半導体基板の表面に絶縁膜を形成する方法と装置」
発明者：橋詰保，杉本雅裕，副島成雅，上杉勉，加地徹 .
2.日本国特許登録
特許番号： 4982729
登録日： 2012/5/11
発明の名称：「超高感度画像検出装置およびその製造方法，検出方法」
発明者：陽完治．
3.日本国特許登録
特許番号： 8227794
登録日： 2012/7/24
発明の名称：「相補型論理ゲート装置」
発明者：佐野栄一，尾辻泰一．
4.ロシア特許登録
特許番号： 2469435
登録日： 2012/10/17
発明の名称：「半導体発光素子アレー，およびその製造方法」
発明者：比留間健之，原真二郎，本久順一，福井孝志 .
5.日本国特許登録
特許番号： 5211352
登録日： 2013/3/8
発明の名称：「半導体発光素子アレー、およびその製造方法」
発明者：比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志 .
6.日本国特許登録
特許番号： 5126972
登録日： 2012/11/9
発明の名称：「電磁波シールド材の製造方法」
発明者：古月文志，佐野栄一 .
