政府・民間からの助成金

（金額は令和２年度分）　　　　　　　　　　　　　　　　

1. NEDO P16007 高効率・高速処理を可能とするAI チップ・次世代コンピューティングの技術開発，平成30 年～令和3 年度，「革新的AI エッジコンピューティング技術の開発／ AI エッジデバイスの横断的なセキュリティ評価に必要な基盤技術の研究開発／電気的読出し技術」，葛西誠也，3,981 千円．

2. NEDO，令和2～3 年度，「ポスト5G に向けたマルチモーダル情報の効率的活用と触診・遠隔医療技術への応用」，池辺将之，10,761 千円．

3. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成28～令和2 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)」,（研究代表者: 加地徹）, 研究分担者：赤澤正道, 佐藤威友, 11,500 千円.

4. 公益財団法人村田学術振興財団, 平成31～令和3 年度,「磁区制御された強磁性CoFe 電極による半導体InAs ナノワイヤスピントランジスタの研究」, 原真二郎, 1,150 千円．

5. 公益財団法人八洲環境技術振興財団, 令和2 年度,「パワーデバイス向け窒化物半導体上シリコン熱酸化膜形成技術の確立」，赤澤正道，1,000 千円．

6. 一般財団法人テレコム先端技術研究支援センター，平成30～令和2 年度，「化合物半導体ナノワイヤによる立体縦型トランジスタ高速CMOS 技術の確立」，冨岡克広，1,200 千円．

7. 公益財団法人旭硝子財団，令和元～3 年度，「ナノワイヤトンネル接合による相補型ミリボルトスイッチ集積技術に関する研究」，代表者：冨岡克広, 2,000 千円．

8. 公益財団法人加藤科学振興会，令和2～3 年度，「ナノワイヤトンネル接合による相補型トンネルトランジスタ集積基盤技術に関する研究」，冨岡克広，1,000 千円．

9. 公益財団法人三菱財団，令和2～3 年度，「半導体ナノワイヤ立体集積回路の基盤技術創成」，代表者：冨岡克広，6,900 千円．