政府・民間からの助成金

（金額は令和元年度分）　　　　　　　　　　　　　　　　

1. NEDO P16007 高効率・高速処理を可能とするAI チップ・次世代コンピューティングの技術開発，平成30 年～令和3 年，「革新的AI エッジコンピューティング技術の開発／ AI エッジデバイスの横断的なセキュリティ評価に必要な基盤技術の研究開発／電気的読出し技術」，葛西誠也，21,551 千円．

2. 東芝メモリ受託研究　平成30 年度, 「有用画像処理とDCNN の相互変換技術と悪環境下への最適画像処理」, 池辺将之, 1,080 千円．

3. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成28～令和2 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)」（研究代表者: 加地徹）, 研究分担者：赤澤正道, 佐藤威友, 10,000 千円.

4. 公益財団法人　矢崎科学技術振興記念財団：第34 回(2016 年度) 一般研究助成（新材料）, 平成28～令和元年度, 「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用」冨岡克広, 2,000 千円．

5. 公益財団法人村田学術振興財団第35 回研究助成, 平成31 年度,「磁区制御された強磁性CoFe電極による半導体InAs ナノワイヤスピントランジスタの研究」原真二郎, 1,150 千円．

6. 公益財団法人東電記念財団基礎研究助成，平成30～令和元年度，「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子の高性能化に関する研究」，冨岡克広，4,000 千円．

7. 一般財団法人テレコム先端技術研究支援センターSCAT 研究助成，平成30～令和2 年度，「化合物半導体ナノワイヤによる立体縦型トランジスタ高速CMOS 技術の確立」，冨岡克広，800 千円．

8. 公益財団法人旭硝子財団研究助成，令和元～3 年度，「ナノワイヤトンネル接合による相補型ミリボルトスイッチ集積技術に関する研究」，代表者：冨岡克広, 2,000 千円．

9. キオクシア株式会社受託研究，令和元～2 年度，「化合物半導体ナノワイヤによる高速縦型トランジスタCMOS 回路技術」，代表者：冨岡克広，1,100 千円．