共同研究
共同研究
（金額は平成 28年度分）
1. 民間との共同研究（住友電気工業），「GaN トランジスタの接合界面制御による性能向上に関する研究」，代表者：橋詰 保，3,400 千円．
2. 民間との共同研究（三菱電機），「GaN 異種接合の界面評価とトランジスタ応用」，代表者：橋詰 保，455 千円．
3. 民間との共同研究（サイオクス），「GaN 系ヘテロ構造の表面・界面評価に関する研究」，代表者：橋詰 保，1,000 千円．
4. 民間との共同研究（オルガノ），「III-V 族化合物半導体の酸化腐食に関する研究」，代表者：佐藤威友，950 千円．
5. 民間との共同研究（住友電気工業），「絶縁膜物性・界面状態のGaN トランジスタの性能との関係性の研究」，代表者：佐藤威友，2,400 千円．
