研究内容・成果 - 競争的研究資金

政府・民間からの助成金

政府・民間からの助成金

(金額は平成 26年度分)                

1. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(CREST),平成21~26 年度,「異種接合GaN 横型トランジスタのインバータ展開」,代表者:橋詰保,20,200 千円.

2. NEDO  戦略的イノベーション推進プログラム平26~30 年GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「GaN MOS界面物性の解明およびプロセス技術の開発」橋詰 保,10,005 千円.

3. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(共同研究:さきがけ研究員冨岡克広) ,平成24~27 年度,「新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発」,代表者:福井孝志,12,778 千円.

4. 独立行政法人日本学術振興会二国間交流事業 共同研究, 平成26 年度~平成27 年度, 「ボトムアップ選択形成による新奇ナノワイヤ磁気エレクトロニクス素子の研究」, 日本側共同研究代表者:原真二郎 (相手国側共同研究代表者: Dr. Matthias T. Elm) 2,500 千円.

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