研究会等における講演：8件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(325) 清水克真，上羽陽介，北村満，大八木康之，法元盛久，竪直也，成瀬誠，松本
勉，葛西誠也:「ドレイン電流によるMOSFET に埋め込まれたナノ構造のサイズと位置の識別」電子情報通信学会ハードウェアセキュリティ研究会，福岡(2018).

2.(326) 橋詰保:「p-GaN に形成したショットキーおよびMOS 接合の評価」応用物理学会第 149 回結晶工学分科会研究会，名古屋(2018).

3.(327) 橋詰保:「GaN 系トランジスタにおける界面制御」応用物理学会先進パワー半導体分科会第４回個別討論会，大阪(2018).

4.(328) 殷翔，葛西誠也:「金属電極に接触したグラフェンの電気伝導とそのコンタクト抵抗の基礎検討」第９回分子アーキテクトニクス研究会，函館(2019).

5.(329) 橋詰保:「GaN MOSFET の絶縁ゲート技術(基調講演)」応用物理学会第24 回電子デバイス界面テクノロジー研究会，三島(2019).

6.(330) 赤松知弥，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広，本久順一：「InP/InAsP/InP ヘテロ構造ナノワイヤLED の作製と評価」電子情報通信学会研究会, 大阪(2019).

7.(331) 山本佳生, 熊澤輝顕, 池辺将之, 浅井哲也, 本村真人, 高前田伸也:「高次数イジングネットワークの時分割処理方式の検討」情報処理学会研究会，横浜(2019).

8.(332) 島内道人，三輪和希，渡久地政周，佐藤威友，本久順一:「GaN の選択的光電気化学エッチング」応用物理学会界面ナノ電子化学研究会　第4 回ポスター発表展，東京(2019).

9.(333) 蒲生浩憲，本久順一，冨岡克広:「Si 上のIII-V ナノワイヤ選択成長とトランジスタ作製」応用物理学会界面ナノ電子化学研究会　第4 回ポスター発表展，東京(2019).

10.(334) 金澤悠里，横山紗由里，池上高広，Prasoon Ambalathankandy，平松正太，佐野栄一，瀧田佑馬，南出泰亜，池辺将之:「180nm CMOS プロセスを用いた32 × 32画素並列VCO 型ADC 構成テラヘルツイメージセンサ」映像情報メディア学会情報センシング研究会，東京(2019).