国内学会における講演発表：４2件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1809) 安藤洸太, 植吉晃大, 大羽由華, 廣一俊, 植松瞭太, 工藤巧, 池辺将之, 浅井哲也, 高前田伸也, 本村真人:「ディザ拡散を用いた組み込み向け二値化ニューラルネットワークの高精度化手法の検討」LSI とシステムのワークショップ2018，東京(2018).

2.(1810) 島田武, Ambalathankandy P., 高前田伸也, 本村真人, 浅井哲也, 池辺将之, 吉田嵩志:「FPGA 実装に向けた大局・局所適応型輝度補正技術によるFull-HD60FPS 動作実証」LSI とシステムのワークショップ2018，東京(2018).

3.(1811) 佐々木正尋，千葉康平，冨岡克広，本久順一:「有機金属気相選択成長により作製したInP ナノワイヤのサイズ制御」第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会，名古屋(2018).

4.(1812) 斉藤健太，葛西誠也，青野真士:「電子アメーバSAT 解探索システムにおけるエラーと解探索効率の相関」2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会，金沢市(2018).

5.(1813) 末藤直樹，斉藤健太，葛西誠也，青野真士:「粘菌アメーバ型最適化問題解探索にもとづく4 脚ロボットの自律歩行」2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会，金沢(2018).

6.(1814) 武田健太郎, 渡久地政周, 佐藤威友:「電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN 加工表面の評価」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

7.(1815) 及木達矢，橋詰保:「高温アニール後のGaN 表面に形成したAl2O3 MOS 構造の評価」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

8.(1816) 金木奨太，橋詰保:「m 面GaN に形成したAl2O3 MOS 構造の評価」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

9.(1817) 安藤祐次，金木奨太，橋詰保:「GaN 基板上に作製したAl2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT のゲート制御性」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

10.(1818) 鈴木洸三郎，堀口竜麻，飯田勝也，原真二郎:「Si 基板上に選択成長したMnAs ナノディスクにおける磁区構造の磁場依存性」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

11.(1819) 蒲生浩憲，冨岡克広，本久順一:「Si 上のInAs ナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの高性能化」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

12.(1820) 本久順一，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広:「InP ナノワイヤLED の温度依存性評価」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

13.(1821) 佐々木正尋，千葉康平，吉田旭伸，冨岡克広，本久順一:「熱アニールによるInP ナノワイヤのサイズ制御の検討」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

14.(1822) 赤松知弥，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広，本久順一:「InP/InAsP ナノワイヤLED の電流注入発光特性評価」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

15.(1823) 磯部一輝，赤澤正道:「GaN の表面フェルミ準位位置とショットキー障壁高金属仕事関数依存性に対する表面処理の効果」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

16.(1824) 北嶋翔平，赤澤正道:「Al2O3 超薄膜膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性(2)」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

17.(1825) 鴨志田亮，植竹啓，赤澤正道:「Mg イオン注入後高温熱処理前のGaN の電気的特性に対するドーズ量の影響」第79 回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋(2018).

18.(1826) 渡久地政周, 武田健太郎, 佐藤威友:「窒化ガリウム加工基板に対する選択的光電気化学エッチングの検討」2018 年電気化学秋季大会, 金沢(2018).

19.(1827) 小松祐斗，植村圭佑，渡久地政周，佐藤威友:「AlGaN/GaN へテロ構造トランジスタを基盤とする高感度化学センサの検討」2018 年電気化学秋季大会, 金沢(2018).

20.(1828) 金澤悠里，横山紗由里，池上高広，池辺将之:「テラヘルツピクセル回路の広帯域化と可視光ピクセルの同時集積」VDEC デザイナーズフォーラム2018，登別(2018).

21.(1829) 横山紗由里，金澤悠里，池上高広，池辺将之:「オフセット自動調節テラヘルツピクセル回路とVCO 型A/D 変換器による読み出し機構」VDEC デザイナーズフォーラム2018，登別(2018).

22.(1830) 池上高広，浅井哲也，池辺将之:「前庭動眼反射を考慮した初期聴覚モデル」VDECデザイナーズフォーラム2018，登別(2018).

23.(1831) 本久順一，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広:「InP ナノワイヤLED における発光効率の温度依存性」The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜(2018).

24.(1832) 赤松知弥，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広，本久順一:「InP/InAsP ナノワイヤLED の電流注入発光特性」The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜(2018).

25.(1833) 冨岡克広，本久順一:「Si 上の垂直GaAs-InGaP コアマルチシェルナノワイヤの異種集積」The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜(2018).

26.(1834) 蒲生浩憲，本久順一，冨岡克広:「Si 上のInAs/InP コアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタ高性能化の検討」第54 回応用物理学会北海道支部/第15 回日本光学会北海道支部合同学術講演会，函館(2019).

27.(1835) 佐々木正尋，冨岡克広，本久順一:「アニールによるInP ナノワイヤ直径微細化」第 54 回応用物理学会北海道支部/第15 回日本光学会北海道支部合同学術講演会，函館(2019).

28.(1836) 山本侑也，島内道人，本久順一:「RF-MBE により選択成長したGaN ナノワイヤの電気特性評価」第54 回応用物理学会北海道支部/第15 回日本光学会北海道支部合同学術講演会，函館(2019).

29.(1837) 赤松知弥，亀田滉貴，佐々木正尋，冨岡克広，本久順一:「InP/InAsP/InP ヘテロ構造ナノワイヤLED の作製と評価」2018 年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会，大阪(2019).

30.(1838) 横山紗由里，金澤悠里，池上高広，Prasoon Ambalathankandy，平松正太，佐野栄一，瀧田佑馬，南出泰亜，池辺将之:「A 32 × 32-Pixel 0.9 THz Imager with Pixel-Parallel 12b VCO-Based ADC in 0.18 μm CMOS」IEEE SSCS Kansai Chapter/Japan Chapter，ISSCC2019 報告会，大阪，(2019).

31.(1839) 堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，佐藤威友:「GaN の光電気化学（PEC）エッチングが有する可能性 コンタクトレスでのエッチング」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

32.(1840) 渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 吉田丈洋, 佐藤威友:「ペルオキソ二硫酸イオン(S2O82-) 含有電解液におけるGaN の電気化学特性」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

33.(1841) 小松祐斗，植村圭佑，佐藤威友:「AlGaInN/AlGaN ヘテロ構造の光電気化学エッチング」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

34.(1842) 葛西誠也，青野真士，斉藤健太，末藤直樹:「最適化問題を解く電子アメーバとその応用（招待講演）」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

35.(1843) 殷翔，葛西誠也:「Ni-グラフェン接合の界面構造と接触抵抗の相関」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

36.(1844) 斉藤健太，末藤直樹，葛西誠也，青野真士:「粘菌に着想を得たTSP 解探索アルゴリズムの電子回路実装」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

37.(1845) 呂任鵬，清水克真，殷翔，上羽陽介，石川幹雄，北村満，葛西誠也:「ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパターン形成と評価」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

38.(1846) 末藤直樹，斉藤健太，青野真士，葛西誠也:「非同期CMOS 論理回路に問題をマッピングしたアメーバ型解探索電子システムの動的挙動」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

39.(1847) 青島慶人，金木奨太，堀田昌宏，須田淳，橋詰保:「ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOS ダイオードの容量-電圧特性の変化」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

40.(1848) 金木奨太，安藤祐次，橋詰保:「GaN 自立基板上に作製したAl2O3/AlGaN/GaN HEMT の評価」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

41.(1849) 植田瑛，藤平哲也，安藤祐次，橋詰保，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋，酒井朗:「放射光ナノビームX 線回折による窒化物半導体HEMT デバイスにおける圧電応答局所格子変形の直接観測」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

42.(1850) 北澤佑記，小平竜太郎，堀口竜麻，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，原真二郎:「VLS 法により成長したSi ナノワイヤの構造評価」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

43.(1851) 島内道人，三輪和希，渡久地政周，佐藤威友，本久順一:「光電気化学エッチングによる窒化ガリウムの微細加工の検討」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

44.(1852) 南祐輔，本久順一，冨岡克広:「Ge(111) 上GaAs/AlGaAs/GaAs コアシェルナノワイヤの電気特性」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

45.(1853) 蒲生浩憲，本久順一，冨岡克広:「InAs/InP コアシェルナノワイヤ/Si 接合界面による縦型トンネルFET の作製」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

46.(1854) 勝見悠，蒲生浩憲，佐々木正尋，本久順一，冨岡克広:「InP ナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの作製」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

47.(1855) 磯部一輝，赤澤正道:「GaN on GaN ショットキー障壁ダイオードに対する表面処理の効果」第66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

48.(1856) 鴨志田亮，植竹啓，村井駿太，赤澤正道:「Mg イオン注入後高温熱処理前のGaNの」第電気的特性に対するドーズ量の影響(2)」66 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2019).

49.(1857) 田嶋孝一，稲田一稀，葛西誠也:「振動型人工感覚フィードバック高精度化のための基礎的検討」2019 年電子情報通信学会総合大会，東京(2019).

50.(1858) 吉岡真治，尹磊，原真二郎，鈴木晃，高山英紀，石井真史:「専門用語の知識保全エコシステムを有するインハウス論文・図表データベースの構築」言語処理学会第25 回年次大会(NLP 2019), 名古屋(2019).