国内学会における講演発表：４０件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1641) 渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友:「電気化学エッチングによるGaN 多孔質構造の形成」第50 回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川(2015).

2.(1642) 宮本貴雄, 小西敬太, 佐藤威友:「デバイス応用に向けた6H-SiC 上グラフェンの高品質・多機能化」第50 回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川(2015).

3.(1643) 陳慕テツ, 中井栄治, 冨岡克広, 福井孝志：「省資源型太陽電池に向けた自立したInP ナノワイヤアレイの光学特性」第50 回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川(2015).

4.(1644) 千崎泰，谷田部然治，橋詰保:「熱酸化過程がGaN MOS 界面特性に与える影響」第50 回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川(2015).

5.(1645) 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「グラフェン３分岐接合デバイス論理機能の実証」第50回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川(2015).

6.(1646) 佐藤威友, 熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治:「III-V 族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用（招待講演）」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

7.(1647) 熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治, 佐藤威友:「電気化学エッチングによるGaN 多孔質構造の形成と形状制御の向上」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

8.(1648) 宮本貴雄, 小西敬太，佐藤威友:「6H-SiC 上グラフェンにおける成長時間とキャリア密度の関係」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

9.(1649) 加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎：「SA-MOVPE 法により作製した横型MnAs ナノワイヤの磁化特性評価」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

10.(1650) 小平竜太郎，藤曲央武，加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ナノワイヤの作製と成長条件依存性評価」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

11.(1651) 冨岡克広，石坂文哉，中井栄治，福井孝志：「Ge(111) 基板上の垂直InAs ナノワイヤの選択成長」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

12.(1652) 平谷佳大，石坂文哉，冨岡克広，福井孝志：「MOVPE 法によるGaN 基板上のウルツ鉱構造AlGaP 作製の試み」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

13.(1653) 冨岡克広, 石坂文哉, 中井栄治, 福井孝志：「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ選択成長と電子素子応用(招待講演)」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

14.(1654) 小棚木陽一郎, 赤澤正道, Joel T.Asubar, 谷田部然治, 橋詰保:「2 段階ALD 成膜Al2O3/InAlN 界面のMOSHEMT への応用」第75 回応用物理学会秋期学術講演会,札幌(2014).

15.(1655) 若宮遼, 葛西誠也, 青野真士, 成瀬誠, 巳波弘佳:「粘菌型解探索システムにおける自発的解探索の検討」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

16.(1656) 阿部遊子, 田中貴之, 葛西誠也:「非対称ゲートGaAs ナノワイヤ電子ブラウンラチェット特性の構造依存性」第75 回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌(2014).

17.(1657) 佐野栄一, 秋庭英治:「CNT 塗布不織布の60GHz 帯電磁波吸収特性」2014 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 徳島(2014).

18.(1658) 白田健人, 今井裕理, 葛西誠也:「非線形素子ネットワーク確率共鳴による筋電信号検出」2014 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 徳島(2014).

19.(1659) 渡部晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友:「電気化学エッチングを用いた窒化物半導体多孔質構造の形成」2014 年電気化学会秋期大会, 札幌(2014).

20.(1660) 冨岡克広, 本久順一, 福井孝志：「III-V ナノワイヤ/Si ヘテロ接合界面のトンネルFET応用（招待講演）」2015 年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

21.(1661) 佐野栄一, 秋庭英治:「CNT 塗布不織布のマイクロ波帯電磁波吸収特性」2015 年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

22.(1662) 板津太郎, 佐野栄一, 矢部裕平, Victor Ryzhii, 尾辻泰一:「金属メッシュ付き単層グラフェンによるテラヘルツ波増幅」2015 年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

23.(1663) 平石一貴, 佐野栄一:「製造ばらつきを考慮した左手系小型アンテナの特性評価」2015年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

24.(1664) 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一:「NAND 型遅延線路を用いた複数位相型TDC の間欠動作」2015 年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

25.(1665) 若宮遼, 葛西誠也, 青野真士, 成瀬誠, 巳波弘佳:「アメーバ型SAT アルゴリズムの電子回路実装と動作速度2015 年電子情報通信学会総合大会, 滋賀, 草津(2015).

26.(1666) 陳慕テツ, 中井栄治, 冨岡克広, 福井孝志：「省資源型太陽電池に向けた自立したInP ナノワイヤアレイの光学特性」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

27.(1667) 平谷佳大，石坂文哉，冨岡克広，福井孝志：「MOVPE 法によるGaN 基板上のウルツ鉱構造AlInP 成長」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

28.(1668) 石坂文哉，平谷佳大，冨岡克広，福井孝志：「InP/AlGaP コアシェルナノワイヤの結晶構造評価」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

29.(1669) 冨岡克広，石坂文哉，中井栄治，本久順一，福井孝志：「MOVPEMOVPE 選択成長法によるSi(100), SOI 基板上のInAs ナノワイヤ成長」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

30.(1670) 冨岡克広，石坂文哉，中井栄治，本久順一，福井孝志：「Si/InGaAs ヘテロ接合界面縦型トンネルFET のシェル層歪効果」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

31.(1671) 熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友:「電気化学堆積法によるCu2O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

32.(1672) 谷田部然治, 大平城二, 佐藤威友, 橋詰保:「ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN MOS 界面特性に与える影響」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

33.(1673) 柳瀬祥吾，原真二郎，本久順一：「間隔の広いInP 系NWアレイと量子ドットの形成と評価」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

34.(1674) 和田年弘，原真二郎，本久順一：「GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器の評価」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

35.(1675) 千葉勝仁, 赤澤正道：「Al2O3/InAlN 界面特性のプロセス依存性」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

36.(1676) 大平城二, 千崎泰，谷田部然治，橋詰保:「酸素雰囲気熱処理プロセスがGaN MOS界面特性に与える影響」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

37.(1677) 西口賢弥, 橋詰保:「AlGaN/GaN HEMT におけるオフ状態ストレス後の表面帯電評価」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

38.(1678) 橋詰保:「周期的トレンチ構造を持つGaN トランジスタ」第62 回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム（窒化物半導体特異構造の科学～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～）, 神奈川, 平塚(2015).

39.(1679) 佐藤将来, 殷翔, 黒田亮太, 井上慎也, 葛西誠也:「ナノ表面電荷ダイナミクス評価にむけた金属短針によるGaAs ナノワイヤ表面局所電位変調の基礎的検討」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).

40.(1680) 黒田亮太, 佐藤将来, 葛西誠也:「低ダメージGaAs 系ナノ構造形成のための高精度ウェットエッチング技術の開発」第62 回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 平塚(2015).