研究内容・成果 - 研究業績

研究会等

研究会等における講演:14

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(278) 葛西誠也:「ゆらぎと共存協調する半導体電子デバイス技術(招待講演)」電子情報通信学会複雑コミュニケーションサイエンス時限研究会, 大阪(2014).

2.(279) 黒田亮太, 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「絶縁ゲ-トGaAs ナノワイヤFET のヒステリシス特性の評価と解析」電子情報通信学会電子デバイス・電子部品材料・シリコン材料デバイス合同研究会, 名古屋(2014).

3.(280) 橋詰保:「AlGaN/GaN HEMT のMIS 界面欠陥の評価と制御」応用物理学会結晶工学分科会第141 回研究会, 名古屋(2014).

4.(281) 謝侃, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一:「自動しきい値補償型Dickson Charge Pump による整流特性の効率化」電子情報通信学会映像情報メディア学会研究会, 出雲, (2014).

5.(282) 吉川知秀, 平石一貴, 和田敏輝, 池辺将之, 佐野栄一:「2.4 GHz 帯プリバイアス型整流回路の試作と評価」電子情報通信学会映像情報メディア学会研究会, 出雲, (2014).

6.(283) 染谷槙人, 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一:「間欠動作TDC を用いたシングルスロープADC 構成の検討」電子情報通信学会映像情報メディア学会研究会, 出雲, (2014). 年7 月4 日.

7.(284) 田所幸浩, 葛西誠也, 一木輝久:「確率共鳴現象の信号処理への応用に向けた取り組み(招待講演)」第3回NetSci/CCS 研究会合同ワークショップ, 千歳(2014).

8.(285) 今井裕理, 白田健人, 黒田亮太, 葛西誠也:「非線形素子ネットワ-クでの確率共鳴を利用した表面筋電計測技術の開発」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 豊橋(2014).

9.(286) 橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治, 佐藤威友:「界面・バルク電子準位がGaN トランジスタの動作特性に与える影響(招待講演)」第1 回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」, 東京, (2014).

10.(287) 西口賢弥, 橋詰保:「AlGaN/GaN HMET におけるオフストレス後の表面帯電の影響」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 吹田(2014).

11.(288) 板津太郎, 佐野栄一, 矢部裕平, Victor Ryzhii, 尾辻泰一:「金属メッシュ付き単層グラフェンからの増幅されたテラヘルツ波放射」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 仙台(2014).

12.(289) 佐藤将来, 殷翔, 葛西誠也:「光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAs ナノワイヤ3 分岐接合デバイスの評価」第5回分子アーキテクトニクス研究会, 大阪(2014).

13.(290) 井上慎也, 葛西誠也, アグンセティアディ, 赤井恵:「GaAs ナノワイヤFET およびカーボンナノチューブ素子の電流雑音特性」電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会, 札幌(2015).

14.(291) 若宮遼, 葛西誠也, 青野真士, 成瀬誠, 巳波弘佳:「アメーバ型最適化問題解探索アルゴリズムの電子回路実装」電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会, 札幌(2015).

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