国内学会における講演発表：６０件

(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

1.(1581) Thaer Moustafa Dieb，吉岡真治，原真二郎：「ナノ知識探索プロジェクト：実験記録からの知識発見(第3 報) - Nanodevice Research Papers Clustering Based on Automatic Paper Annotation -」2013 年度(第27 回) 人工知能学会全国大会(JSAI 2013), 富山(2013).

2.(1582) 橋詰　保：「GaN 系パワー電子デバイスのための異種接合制御とプロセス技術(招待講演)」日本機械学会2013 年度年次大会「先端技術フォーラム」(情報・知能・精密機器部門特別企画), 岡山(2013).

3.(1583) 冨岡克広, 吉村正利, 福井孝志:「Si 上のIII-V ナノワイヤチャネルの性能向上と酸化膜厚依存性」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

4.(1584) 吉村正利, 中井栄治, 冨岡克広, 福井孝志：「ITO/p-InP ヘテロ接合ナノワイヤアレイ太陽電池の特性解析」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

5.(1585) 中井栄治, 吉村正利, 冨岡克広, 福井孝志: 「軸方向接合型InGaAs ナノワイヤアレイ太陽電池の作製と評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

6.(1586) 石坂文哉, 池尻圭太郎, 冨岡克広, 福井孝志：「MOVPE 選択成長法によるウルツ鉱構造InP/GaP コアシェルナノワイヤの作製」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都 (2013).

7.(1587) 福井孝志：「化合物半導体ナノワイヤの選択成長機構(招待講演)」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都市(2013).

8.(1588) 池尻圭太郎, 石坂文哉, 冨岡克広, 福井孝志：「MOVPE 選択成長法によるポリシリコン薄膜上のGaAs ナノワイヤの作製と評価（II）」第74 回応用物理学会学術講演会,京都(2013).

9.(1589) 阿部遊子, 田中貴之, 葛西誠也：「GaAs ナノワイヤ電子ブラウンラチェットデバイスのフラッシング動作特性」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

10.(1590) 今井裕理, 葛西誠也：「ナノワイヤFET ネットワーク確率共鳴を利用した生体信号検出に関する基礎的検討」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

11.(1591) 井上慎也, 黒田亮太, 葛西誠也：「GaAs ナノワイヤFET を用いた分子ダイナミクス検出の検討」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

12.(1592) 殷翔, 葛西誠也：「グラフェン3 分岐ナノ接合デバイスのトップゲート制御」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

13.(1593) 藤曲央武，崎田晋哉，原真二郎：「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ上の強磁性体MnAs ナノクラスタ複合構造の作製と構造評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

14.(1594) 崎田晋哉，藤曲央武，原真二郎：「Si (111) 及び非晶質ガラスに堆積したAl2O3 膜上のAlGaAs ナノ構造の作製と評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

15.(1595) 加藤弘晃，崎田晋哉，Martin Fischer，原真二郎：「MOVPE 選択成長法による横型MnAs ナノワイヤの作製と評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

16.(1596) 和田年弘，小橋義典，原真二郎，本久順一：「横方向成長させたGaAs ナノワイヤの評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

17.(1597) 千葉勝仁, 中野拓真, 赤澤正道：「ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

18.(1598) 中野拓真，千葉勝仁，赤澤正道：「高温熱処理を挟む2 段階ALD プロセスによるAl2O3/InAlN 界面特性の向上」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

19.(1599) 熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友：「GaN 多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

20.(1600) 渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN 多孔質ナノ構造の形成」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

21.(1601) 馬万程，橋詰　保：「AlGaN 緩衝層がGaN ショットキー接合特性に与える影響」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

22.(1602) 西口賢弥，J. T. アスバール, 橋詰　保：「デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMT の電流コラプス評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

23.(1603) 堀　祐臣，谷田部然治, 橋詰　保：「GaN 系MOS-HEMT におけるMOS 界面準位評価と電気特性への影響」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

24.(1604) 崔志欣, Ragamanbu Perumal, 石倉丈継, 陽完治：「InAs ナノワイヤへのスピン注入デバイスの作製と評価」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

25.(1605) 平木隆浩, 石倉丈継, 小西敬太, 崔志欣, 陽完治：「半導体上への垂直磁化膜の作製と評価（３）」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

26.(1606) 宮本貴雄, 小西敬太, 陽完治：「SiC 上のエピタキシャルグラフェンへの水素添加」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

27.(1607) Lennart-Knud Liefeith, Tomotsugu Ishikura, Zhixin Cui, Kanji Yoh:「Spin injection with FM/InAs direct contact and InP Shottky barrier」第74 回応用物理学会学術講演会, 京都(2013).

28.(1608) 冨岡克広, 福井孝志: 「Si 上のIII-V 族化合物半導体ナノワイヤチャネル:縦型トランジスタ応用(招待講演)」平成25 年電気学会電子・情報・システム部門大会, 北見 (2013).

29.(1609) 田中朋, 佐野栄一： 「カーボンナノチューブネットワークTFT の特性」2013 信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 福岡(2013).

30.(1610) 堀　祐臣, 谷田部然治, 橋詰　保：「GaN 系材料の絶縁膜界面評価(招待講演)」SiC 及び関連半導体研究会第22 回講演会, さいたま市(2013).

31.(1611) 西口賢弥，J. T. アスバール, 橋詰　保：「デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMT のオフ状態ストレスによる電流変動評価」第49 回応用物理学会北海道支部/第10 回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌(2013).

32.(1612) 崎田晋哉，加藤弘晃，原真二郎：「ALD で堆積したAl2O3 中間層を用いた非晶質ガラス上のAlGaAs ナノ構造の作製と評価」第49 回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌(2013).

33.(1613) 加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎：「SA-MOVPE 法により作製した横型MnAs ナノワイヤの評価」第49 回応用物理学会北海道支部/第10 回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌(2013).

34.(1614) 渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「GaN 多孔質構造の形状制御と化学センサへの応用」第49 回応用物理学会北海道支部/第10 回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌(2013).

35.(1615) 井上慎也, 黒田亮太, 葛西誠也：「GaAs ナノワイヤFET を用いた分子の電荷充放電センシング」第49 回応用物理学会北海道支部/第10 回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌(2013).

36.(1616) 冨岡克広, 福井孝志: 「Si 上III-V 族半導体ナノワイヤの集積：高性能縦型FET と低電圧トランジスタ応用(招待講演)」応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第167回研究集会, 東京(2014).

37.(1617) 橋詰保, 谷田部然治, 佐藤威友：「GaN パワー素子のための絶縁膜界面制御(招待講演)」電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会研究会, 日光(2014).

38.(1618) 佐藤威友，熊崎祐介, 渡部晃生：「III-V 族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用(招待講演)」表面技術協会第129 回講演大会, 野田(2014).

39.(1619) 板津太郎, 佐野栄一, 矢部裕平, 尾辻泰一：「テラヘルツ領域における金属メッシュ構造の反射特性」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

40.(1620) 佐野栄一, 田中朋：「カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのドレイン電流モデル」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

41.(1621) 田中朋, 佐野栄一：「カーボンナノチューブネットワークTFT の低周波雑音特性」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

42.(1622) 川内偉博, 佐野栄一：「マイクロ波・ミリ波領域におけるCNT 分散材料の誘電率評価」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

43.(1623) 吉川知秀, 平石一貴, 和田敏輝, 佐野栄一, 池辺将之：「2.4 GHz 帯整流回路の試作と評価」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

44.(1624) 平石一貴, 和田敏輝, 池辺将之, 佐野栄一：「60 GHz 帯オンチップメタマテリアルモノポールアンテナ」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

45.(1625) 和田敏輝, 池辺将之, 佐野栄一：「CDR 回路を搭載した60 GHz 帯ウェイクアップ受信機」2014 年電子情報通信学会総合大会, 新潟(2014).

46.(1626) 橋詰保：「パワー素子応用のためのGaN 系電子デバイス技術の現状と可能性(招待講演)」電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティプレナリーセッション, 新潟

(2014).

47.(1627) 佐藤威友, 赤澤正道, 橋詰保：「窒化物半導体異種接合の評価と制御(招待講演)」第61 回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム（窒化物半導体特異構造の科学～成長・作製と新機能の発現～）, 第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

48.(1628) 葛西誠也, 田所幸浩, 一木輝久：「雑音中の微弱信号検出のための非線形関数とパラメータ設計理論」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

49.(1629) 葛西誠也, 青野真士, 成瀬誠, 巳波弘佳, 若宮遼：「最適化問題解探索電子アメーバ」第

61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

50.(1630) 黒田亮太, 葛西誠也：「GaAs エッチングナノワイヤMISFET のヒステリシス特性評価」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

51.(1631) 佐藤将来, 殷翔, 葛西誠也：「GaAs ナノワイヤ3 分岐接合デバイス非線形特性動作の表面依存性評価」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

52.(1632) 井上慎也, 黒田亮太, 葛西誠也：「GaAs ナノワイヤFET 雑音解析にもとづく分子電荷ダイナミクス検出」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

53.(1633) 崎田晋哉，加藤弘晃，原真二郎：「Al2O3 中間層を用いた非晶質ガラス上のAlGaAsナノ構造のMOVPE 選択成長」第61 回応用物理学会春季学術講演会, 相模原(2014).

54.(1634) 千葉勝仁, 中野拓真, 赤澤正道：「ALD Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの特性に対するアニールの効果」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

55.(1635) 中野拓真，千葉勝仁，小棚木陽一郎，赤澤正道：「2 段階ALD により形成されたAl2O3/InAlN 界面の特性」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

56.(1636) 石坂文哉, 冨岡克広, 福井孝志：「MOVPE 選択成長法によるウルツ鉱型InP/AlGaPコアシェルナノワイヤ成長」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

57.(1637) 冨岡克広, 石坂文哉, 中井栄治, 福井孝志：「Si/InAs ヘテロ接合縦型トンネルFETのチャネル層ドーピング効果」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

58.(1638) 熊崎祐介, 佐藤威友, 橋詰保：「AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN 層の選択的電気化学エッチング」第61 回応用物理学関係連合講演会, 相模原(2014)．

59.(1639) 佐藤威友, 渡部晃生，熊崎祐介：「電気化学的手法によるIII-V 族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用」公益社団法人電気化学会第81回大会, 吹田(2014).

60.(1640) 葛西誠也，「確率共鳴現象の電子的発現と応用展開（招待講演）」，日本化学会第94 春季年会，名古屋(2014)．