MBEエレクトロニクスグループでは、分子線エピタキシー（MBE）法による半導体結晶成長技術と独自の超高真空一貫プロセスをベースとした最新の半導体ナノテクノロジーを駆使し、エレクトロニクスの高度化に必要不可欠なIII-V族化合物半導体ナノ構造形成、表面界面物性制御、新デバイスの創造、システム構成技術の構築を目的として研究を推進しています。ことに21世紀COEプログラムでは、これらの成果を、ユビキタスネットワーク社会のキーデバイスとなる極微小知識担体「知的量子(IQ)チップ」を構成する、超小型低消費電力プロセッサ・メモリ、各種センサや高速・低消費電力通信デバイスの研究開発へ向けて展開しつつあります。

キーワード：
分子線エピタキシー（MBE）結晶成長技術、III-V族化合物半導体・窒化物半導体、超高真空一貫プロセス
量子ナノ構造、量子ナノ表面界面物性、量子ナノデバイスと集積化、超高速通信デバイス、IQチップ